+ MRF8VP13350N, Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MRF8VP13350N Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)

 

Блок-схема

MRF8VP13350N, Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)
Увеличить

Группа компонентов

LDMOS транзисторы

Основные параметры

Тактовая частота: F (мин.),МГц 700
Тактовая частота: F (макс.),МГц 1300
VDS,В 50
P1dB,дБм 55.4
POUT,Вт 350
Gain (тип.),дБ 20.7
µD,% 67.5
Согласованный Да
Корпус OM-780-4L OM-780G-4L

Общее описание
Datasheet
 
MRF8VP13350N (665.6 Кб), 29.05.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MRF8VP13350N Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) (665.6 Кб), 29.05.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 576 		Дата публикации: 29.05.2015 10:36
Дата редактирования: 29.05.2015 10:39

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники