Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы LDMOS транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В		 P1dB
дБм		 POUT
Вт		 Gain (тип.)
дБ		 µD
%		 Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц		 F (макс.)
МГц
                           
MRF8VP13350N Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 700 1300 50 55.4 350 20.7 67.5 Да OM-780-4L
OM-780G-4L
BLF884P Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 470 860 50 - 350 21 46 Да SOT-1121A
BLS7G3135LS-350P Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона NXP LDMOS транзисторы
 3100 3500 32 - 350 12 43 Нет SOT-539B
BLS7G3135L-350P Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона NXP LDMOS транзисторы
 3100 3500 32 - 350 12 43 Да SOT-539A
BLS7G2729LS-350P Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона NXP LDMOS транзисторы
 2700 2900 32 - 350 13 50 Да SOT-539B
BLS7G2729L-350P Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона NXP LDMOS транзисторы
 2700 2900 32 - 350 13 50 Да SOT-539A
MRF6V14300H Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1200 1400 50 55.2 330 18 60.5 Да NI-780
NI-780S
MRF8P29300H Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2700 2900 30 55.1 320 13.3 50.5 Да NI-1230
NI-1230S
BLA8G1011LS-300G Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 1030 1090 32 - 300 16.5 56 Да SOT-502E
MRF6V4300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 10 600 50 54.8 300 22 60 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
BLA8G1011L-300G Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 1030 1090 32 - 300 16.5 56 Да SOT-502F
BLA8G1011LS-300 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 1030 1090 32 - 300 16.5 56 Да SOT-502B
MRF6V2300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 10 600 50 54.8 300 25.5 68 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
BLA8G1011L-300 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 1030 1090 32 - 300 16.5 56 Да SOT-502A
BLC8G20LS-310AV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 1930 1995 28 47.5 300 17 42.5 Да SOT-1258-3
BLF8G10LS-300P Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 700 1000 28 - 300 20.5 32 Да SOT-539B
BLF573S Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов NXP LDMOS транзисторы
 10 500 50 - 300 27.2 70 Да SOT-502B
MRFE6VP6300H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1.8 600 50 54.8 300 25 80 Да NI-780-4
NI-780S-4
BLF573 Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов NXP LDMOS транзисторы
 10 500 50 - 300 27.2 70 Да SOT-502A
MRFE6VP5300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1.8 600 50 54.8 300 25 70 Да TO-270WB-4
TO-270WBG-4
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники