+ MRF6V2300N, Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

MRF6V2300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)

 

Блок-схема

MRF6V2300N, Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET)
Увеличить

Группа компонентов

LDMOS транзисторы

Основные параметры

Тактовая частота: F (мин.),МГц 10
Тактовая частота: F (макс.),МГц 600
VDS,В 50
P1dB,дБм 54.8
POUT,Вт 300
Gain (тип.),дБ 25.5
µD,% 68
Согласованный Да
Корпус TO-270WB-4 TO-272WB-4

Общее описание
Datasheet
 
MRF6V2300N (1.2 Мб), 28.05.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

MRF6V2300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) (1.2 Мб), 28.05.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 414 		Дата публикации: 28.05.2015 13:13
Дата редактирования: 28.05.2015 13:16

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники