Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
A2T07H310-24S Радиочастотный LDMOS транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
716 960 28 51 47 18.9 51.6 Да NI-1230S-4L2L
AFT26H250-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 53.6 50 14.1 44.5 Да NI-1230S-4L2L
A2T18H410-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1880 28 55.5 71 17.4 51.2 Да NI-1230S-4L2L
A2T20H330W24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 2025 28 53.8 58 16.9 50.5 Да NI-1230S-4L2L
AFT18H356-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1995 28 56 63 15 46.7 Да NI-1230S-4L2L
MRFE6VP61K25H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 61 1250 22.9 74.5 Да NI-1230GS-4L
NI-1230H-4S
NI-1230S-4S
AFT26H200W03SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 53 45 14.1 45.2 Да NI-1230S-4S
AFT26H250W03SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 53.6 50 14.1 44.5 Да NI-1230S-4S
AFT09H310-03S Радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 52.6 56 17.9 47.4 Да NI-1230S-4S
AFT21H350W03SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 50.4 63 16.4 47.1 Да NI-1230S-4S
MRF8S18260HSR6 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1880 30 54.1 74 17.9 31.6 Да NI-1230S-8
MRFE6VS25LR5 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 2000 50 44 25 25.9 74 Да NI-360-2
A2G22S160-01SR3 Радиочастотный GaN транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1800 2200 48 51 32 19.6 38 Да NI-400S-2S
MRF6V14300H Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1200 1400 50 55.2 330 18 60.5 Да NI-780
NI-780S
MRF7S21150HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 51.8 44 17.5 31 Да NI-780
MRF8S18120HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1880 28 50.8 72 18.2 49.8 Да NI-780
MRF6V12250H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
960 1215 50 54.4 275 20.3 65.5 Да NI-780
NI-780S
MRF7S27130HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 51.1 23 16.5 20 Да NI-780
MRF8S9100HR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 50.3 72 19.3 51.6 Да NI-780
MRF8S9220HR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 53.4 65 19.4 35.7 Да NI-780
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019