Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
BLF8G24LS-100V Силовой LDMOS-транзистор - NXP LDMOS транзисторы
2300 2400 28 - 100 19 32 Да SOT-1244B
AFT21S240-12SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 53.6 55 20.4 33.9 Да NI-880XS-2L2L
BLL8H1214L-500 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1200 1400 50 - 500 17 50 Да SOT-539A
A2I22D050N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1800 2200 28 46.5 5.3 32.6 17.9 Да TO-270WB-15
TO-270WBG-15
SD57060 Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 945 28 - 60 15 60 Да M243
BLF6G38-10G WiMAX силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
3400 3600 28 - 10 14 20 Да SOT-975C
MRFE6S9125NR1 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
865 960 28 51 27 20.2 31 Да TO-270WB-4
BLF183XRS Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 350 28 75 Да SOT-1121B
MRF8P23080HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 47.4 16 14.6 42 Да NI-780-4
BLS6G2731-120 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2700 3100 32 - 120 13.5 48 Да SOT-502A
BLC8G20LS-400AV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1800 2000 32 - 400 15.5 44 Да SOT-1258-3
BLF7G27LS-140 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2500 2700 28 - 140 16.5 22 Да SOT-502B
MRF7S19170HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1930 1990 28 52.3 50 17.2 32 Да NI-880
BLF884PS Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
470 860 50 - 350 21 46 Да SOT-1121B
MRF6VP11KH Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 150 50 60 1000 26 71 Да NI-1230-4
NI-1230S-4GULL
CLF1G0060S-30 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT NXP LDMOS транзисторы
0 6000 50 - 30 16.6 61 Да SOT-1227B
BLF6G15L-40BRN Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1450 1550 28 - 40 22 13 Да SOT-1112A
AFT09H310-04GSR6 Радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 52.6 56 17.9 47.4 Да NI-1230GS-4L
BLF8G22LS-270 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2110 2170 28 - 270 17.7 30 Да SOT-502B
AFT21S232SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 53.6 50 16.7 30.5 Да NI-780S-2L
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019