Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
BLF574XRS Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов NXP LDMOS транзисторы
10 500 50 - 600 23.5 74.5 Да SOT-1214B
BLF574XR Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов NXP LDMOS транзисторы
10 500 50 - 600 23.5 74.5 Да SOT-1214A
MRFE6VS25N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 2000 50 44 25 25.5 74.5 Да TO-270-2
TO-270-2GULL
MRFE6VP61K25H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 61 1250 22.9 74.5 Да NI-1230GS-4L
NI-1230H-4S
NI-1230S-4S
BLF174XRS Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 128 50 - 600 28.5 74 Да SOT-1214B
BLF174XR Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 128 50 - 600 28.5 74 Да SOT-1214A
MRFE6VS25LR5 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 2000 50 44 25 25.9 74 Да NI-360-2
BLF184XRG Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 700 23.9 73.5 Да SOT-1214C
BLF184XRS Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 700 23.9 73.5 Да SOT-1214B
BLF184XR Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 700 23.9 73.5 Да SOT-1214A
PD85025C Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 945 13.6 - 25 16 73 Да M243
AFT05MS006NT1 Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
136 941 7.5 37.8 6 18.3 73 Да PLD--1.5W
MRFE6VP61K25N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 61 1250 23 72.3 Да OM-1230-4L
OM-1230G-4L
PD85035-E Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 870 13.6 - 35 14.9 72 Да PowerSO-10RF
MRFE6VP5150N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 51.8 150 26.3 72 Да TO-270WB-4
TO-270WBG-4
MRF6VP11KH Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 150 50 60 1000 26 71 Да NI-1230-4
NI-1230S-4GULL
AFT09MS031GN Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 941 12.5 44.9 32 17.2 71 Да TO-270-2GULL
AFT09MS031N Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 941 12.5 44.9 32 17.2 71 Да TO-270-2
AFT09MS007NT1 Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 941 7.5 38.6 7.3 15.2 71 Да PLD--1.5W
AFT05MS031GNR1 Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 520 13.6 44.9 31 17.7 71 Да TO-270-2GULL
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019