Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
AFV09P350-04GNR3 Радиочастотный LDMOS транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
720 960 48 53 100 19.5 48.5 Да OM-780G-4L
AFV09P350-04NR3 Радиочастотный LDMOS транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
720 960 48 53 100 19.5 48.5 Да OM-780-4L
AFT09S200W02N Радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
716 960 28 53 56 19.2 36.5 Да OM-780-2L
MRF8S9202GNR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 53 58 19 36.3 Да OM-780-2GULL
MRF8S9202NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 53 58 19 36.3 Да OM-780-2
MRF8S9200NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 53 58 19.9 37.1 Да OM-780-2
AFT26H200W03SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 53 45 14.1 45.2 Да NI-1230S-4S
AFT18H357-24NR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1880 28 53 63 17.5 48.7 Да OM-1230-4L2L
MRF8P9210NR3 Радиочастотный силовой LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 52.9 63 16.7 47.4 Да OM-780-4
MRF6P24190H Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2400 2500 28 52.8 190 13.2 46.2 Да NI-1230
MHT1001HR5 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2450 2450 28 52.8 190 13.2 46.2 Да NI-1230H-4S
AFT09H310-04GSR6 Радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 52.6 56 17.9 47.4 Да NI-1230GS-4L
AFT09H310-03S Радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 52.6 56 17.9 47.4 Да NI-1230S-4S
MRF8S7170NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
618 803 28 52.6 50 19.5 37 Да OM-780-2L
MRF8S9170NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 52.5 50 19.3 36.5 Да OM-780-2
MRF8S21200HSR6 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 52.5 48 18.1 32.6 Да NI-1230S
MRF8S21200HR6 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 52.5 48 18.1 32.6 Да NI-1230
MRF7S19170HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1930 1990 28 52.3 50 17.2 32 Да NI-880S
MRF7S19170HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1930 1990 28 52.3 50 17.2 32 Да NI-880
MRFE6S9160HSR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
865 960 28 52 35 21 31 Да NI-780S
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019