Компоненты группы LDMOS транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
| F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| CLF1G0060S-10 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 10 | 18.8 | 48.2 | Да |
|
| MRF7P20040HR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2010 | 2025 | 32 | 45.4 | 10 | 18.2 | 42.6 | Да |
|
| CLF1G0060-10 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 10 | 18.8 | 48.2 | Да |
|
| MRFE6S9045NR1 | Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
865 | 960 | 28 | 46.5 | 10 | 22.1 | 32 | Да |
|
| MRF6V2010N | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
10 | 450 | 50 | 40 | 10 | 23.9 | 62 | Да |
|
| MHT1006NT1 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
728 | 2700 | 28 | 40 | 10 | 19.8 | 55.1 | Да |
|
| BLF6G27-10G | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2700 | 28 | - | 10 | 19 | 20 | Да |
|
| BLF6G27-10 | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2700 | 28 | - | 10 | 19 | 20 | Да |
|
| MRF6V10010NR4 | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
960 | 1400 | 50 | 40 | 10 | 25 | 69 | Да |
|
| BLF640 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 2200 | 28 | - | 10 | 18.5 | 15 | Да |
|
| BLP7G22-10 | LDMOS транзистор мощностью 10 Вт с чрезвычайно широкой полосой пропускания |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 2700 | 28 | - | 10 | 14.5 | 26 | Нет |
|
| BLF6G21-10G | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1 | 2200 | 28 | - | 10 | 19.3 | 31 | Да |
|
| MD7IC2755N | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | 44.8 | 10 | 25 | 25 | Да |
|
| MW6S010GNR1 | Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
450 | 1500 | 28 | 40 | 10 | 18 | 32 | Да |
|
| MW6S010NR1 | Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
450 | 1500 | 28 | 40 | 10 | 18 | 32 | Да |
|
| BLF25M612G | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | - | 12 | 19 | 60 | Да |
|
| BLF25M612 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | - | 12 | 19 | 60 | Да |
|
| MD7IC2251N | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 46 | 12 | 29 | 37.9 | Да |
|
| MRFE6S9060NR1 | Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
470 | 960 | 28 | 47.8 | 14 | 21.1 | 33 | Да |
|
| MRF8P26080HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | 47.3 | 14 | 15 | 36.9 | Да |
|
