Компоненты группы LDMOS транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
| F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BLP05H675XR | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 600 | 50 | - | 75 | 27 | 75 | Да |
|
| BLA6H0912-500 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
960 | 1200 | 50 | - | 450 | 17 | 50 | Да |
|
| CLF1G0035S-50 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 50 | 15 | 65 | Да |
|
| BLL6H1214-500 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1200 | 1400 | 50 | - | 500 | 17 | 50 | Да |
|
| MRF6VP121KH | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
965 | 1215 | 50 | 60 | 1000 | 20 | 56 | Да |
NI-1230 NI-1230S |
| BLP05H635XR | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 600 | 50 | - | 35 | 27 | 75 | Да |
|
| CLF1G0035-50 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 50 | 15 | 65 | Да |
|
| BLU6H0410LS-600P | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
400 | 900 | 50 | - | 600 | 20 | 58 | Да |
|
| BLL6H0514-25 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
500 | 1400 | 50 | - | 25 | 10 | 58 | Да |
|
| MRF6V14300H | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1200 | 1400 | 50 | 55.2 | 330 | 18 | 60.5 | Да |
|
| BLU6H0410L-600P | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
400 | 900 | 50 | - | 600 | 20 | 58 | Да |
|
| MRF6V13250H | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
960 | 1500 | 50 | 54 | 250 | 22.7 | 57 | Да |
|
| AFIC10275N | Широкополосный интегральный усилитель на основе LDMOS-транзисторов |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
978 | 1090 | 50 | 54 | 250 | 32.6 | 61 | Да |
|
| MRF6V12500H | Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
960 | 1215 | 50 | 57 | 500 | 19.7 | 62 | Да |
|
| MRF6V12250H | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
960 | 1215 | 50 | 54.4 | 275 | 20.3 | 65.5 | Да |
|
| BLF10H6600PS | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
400 | 1000 | 50 | - | 600 | 20.8 | 46 | Да |
|
| MRF6V10010NR4 | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
960 | 1400 | 50 | 40 | 10 | 25 | 69 | Да |
|
| BLF10H6600P | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
400 | 1000 | 50 | - | 600 | 20.8 | 46 | Да |
|
| MRFE6VP8600H | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
470 | 860 | 50 | 57.8 | 125 | 19.3 | 30 | Да |
NI-1230 NI-1230S |
| BLF578XRS | Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 500 | 50 | - | 1400 | 23.5 | 69 | Да |
|
