Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы LDMOS транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В		 P1dB
дБм		 POUT
Вт		 Gain (тип.)
дБ		 µD
%		 Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц		 F (макс.)
МГц
                           
BLF7G27LS-100 LDMOS-транзистор высокой мощности NXP LDMOS транзисторы
 2500 2700 28 - 100 18 28 Нет SOT-502B
BLF8G27LS-100V Силовой LDMOS-транзистор - NXP LDMOS транзисторы
 2500 2700 28 - 100 17 28 Да SOT-1244B
BLF7G27L-100 LDMOS-транзистор высокой мощности NXP LDMOS транзисторы
 2500 2700 28 - 100 18 28 Да SOT-502A
BLF8G27LS-100 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2500 2700 28 - 100 17 28 Да SOT-502B
MRF8P26080HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2500 2700 28 47.3 14 15 36.9 Да NI-780S-4
MRF8P26080HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2500 2700 28 47.3 14 15 36.9 Да NI-780-4
AFT26P100-4WGSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2496 2690 28 49.4 22 15.3 43.9 Да NI-780GS-4L
AFT26P100-4WSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2496 2690 28 49.4 22 15.3 43.9 Да NI-780S-4L
AFT26H050W26SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2496 2690 28 46.2 9 14.2 47.1 Да NI-780S-4L4L
AFT26HW050GSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2496 2690 28 46.2 9 14.2 47.1 Да NI-780GS-4L4L
AFT26HW050SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2496 2690 28 46.2 9 14.2 47.1 Да NI-780S-4L4S
AFT26H250-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2496 2690 28 53.6 50 14.1 44.5 Да NI-1230S-4L2L
AFT26H250W03SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2496 2690 28 53.6 50 14.1 44.5 Да NI-1230S-4S
AFT26H200W03SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2496 2690 28 53 45 14.1 45.2 Да NI-1230S-4S
AFT26H160-4S4R3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2496 2690 28 50 32 14.9 45.7 Да NI-880XS-4L4S
A2T26H160-24SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2496 2690 28 51.4 28 16.4 48.1 Да NI-780S-4L2L
BLC8G27LS-180AV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2496 2690 28 - 180 14 43.5 Да SOT-1275-1
BLC8G27LS-160AV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2496 2690 28 - 160 14.5 43 Да SOT-1275-1
BLC8G27LS-140AV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
 2496 2690 28 - 140 15 46 Да SOT-1275-1
MHT2000N Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2450 2450 28 44 25 27.7 43.8 Да TO-270WB-16
TO-270WBG-16
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники