Компоненты группы LDMOS транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
| F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| MRF1517NT1 | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
136 | 520 | 7.5 | 39 | 8 | 14 | 70 | Да |
|
| BLC8G27LS-180AV | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | - | 180 | 14 | 43.5 | Да |
|
| PD55015-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 500 | 12.5 | - | 15 | 14 | 55 | Да |
|
| MRF8P23160WHSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | 51.8 | 30 | 14.1 | 36.5 | Да |
|
| MRF8P23160WHR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | 51.8 | 30 | 14.1 | 36.5 | Да |
|
| AFT26H250-24SR6 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | 53.6 | 50 | 14.1 | 44.5 | Да |
|
| AFT26H250W03SR6 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | 53.6 | 50 | 14.1 | 44.5 | Да |
|
| AFT26H200W03SR6 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | 53 | 45 | 14.1 | 45.2 | Да |
|
| AFT26H050W26SR3 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | 46.2 | 9 | 14.2 | 47.1 | Да |
|
| AFT26HW050GSR3 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | 46.2 | 9 | 14.2 | 47.1 | Да |
|
| AFT26HW050SR3 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | 46.2 | 9 | 14.2 | 47.1 | Да |
|
| PD57060S-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 28 | - | 60 | 14.3 | 54 | Да |
|
| CLF1G0035S-100P | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 100 | 14.4 | 54.4 | Да |
|
| CLF1G0035-100P | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 100 | 14.4 | 54.4 | Да |
|
| MRF8HP21080HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 47.8 | 16 | 14.4 | 45.7 | Да |
|
| MRF8HP21080HR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 47.8 | 16 | 14.4 | 45.7 | Да |
|
| MRF1550FN | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
136 | 520 | 12.5 | 47 | 50 | 14.5 | 55 | Да |
|
| MRF1550NT1 | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
136 | 520 | 12.5 | 47 | 50 | 14.5 | 55 | Да |
|
| PD85035C | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 13.6 | - | 35 | 14.5 | 77 | Да |
|
| BLD6G21LS-50 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2010 | 2025 | 28 | - | 50 | 14.5 | 43 | Да |
|
