Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
BLF178P Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 128 50 - 1200 26 75 Да SOT-539A
BLF578 Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов NXP LDMOS транзисторы
10 500 50 - 1200 26 75 Да SOT-539A
MRFE6VS25LR5 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 2000 50 44 25 25.9 74 Да NI-360-2
MRF6V2300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
10 600 50 54.8 300 25.5 68 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
MRFE6VS25N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 2000 50 44 25 25.5 74.5 Да TO-270-2
TO-270-2GULL
MRF6VP2600HR6 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2 500 50 57.8 125 25 28.5 Да NI-1230
MRF6V2150N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
10 450 50 51.8 150 25 68.3 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
MRF6V10010NR4 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
960 1400 50 40 10 25 69 Да PLD--1.5W
MRFE6VP6300H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 54.8 300 25 80 Да NI-780-4
NI-780S-4
MD7IC2755N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 44.8 10 25 25 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
MRFE6VP5300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 54.8 300 25 70 Да TO-270WB-4
TO-270WBG-4
MRFE6VP5600H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 57.8 600 24.6 75.2 Да NI-1230
NI-1230S
MRF6VP21KH Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
10 235 50 60 1000 24 67.5 Да NI-1230
BLF184XRG Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 700 23.9 73.5 Да SOT-1214C
BLF184XRS Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 700 23.9 73.5 Да SOT-1214B
BLF184XR Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 700 23.9 73.5 Да SOT-1214A
MRF6V2010N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
10 450 50 40 10 23.9 62 Да TO-270-2
TO-272-2
BLP7G22-05 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
700 2700 28 - 5 23.9 25 Да SOT-1179-2
BLF578XRS Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов NXP LDMOS транзисторы
10 500 50 - 1400 23.5 69 Да SOT-539B
BLF578XR Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов NXP LDMOS транзисторы
10 500 50 - 1400 23.5 69 Да SOT-539A
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019