Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы LDMOS транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В		 P1dB
дБм		 POUT
Вт		 Gain (тип.)
дБ		 µD
%		 Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц		 F (макс.)
МГц
                           
MW7IC2220N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 43 2 31 13 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
MW7IC2425N Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2400 2500 28 44 25 27.7 43.8 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
MW7IC2725N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2500 2700 28 44 4 28.5 17 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
MHT2000N Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2450 2450 28 44 25 27.7 43.8 Да TO-270WB-16
TO-270WBG-16
MW7IC2040N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1930 1990 28 44.8 4 32 17.5 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
MW7IC930N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 920 960 28 44.9 3.2 35.9 16.5 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
A2I22D050N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1800 2200 28 46.5 5.3 32.6 17.9 Да TO-270WB-15
TO-270WBG-15
A2I25D012N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2100 2900 28 41.9 2.2 33.2 19.8 Да TO-270WB-15
TO-270WBG-15
MD7IC2050N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1880 2025 28 47.8 10 30.5 37.4 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
TO-272WB-14
MWE6IC9080N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 865 960 28 49.5 80 28.5 52.3 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
TO-272WB-14
MD7IC2755N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2500 2700 28 44.8 10 25 25 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
MD7IC2250N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 47.3 5.3 31.1 16.8 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
TO-272WB-14
AFIC10275N Широкополосный интегральный усилитель на основе LDMOS-транзисторов Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 978 1090 50 54 250 32.6 61 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
MD7IC2251N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 46 12 29 37.9 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
MD7IC2012N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1805 2170 28 40.8 1.3 31.5 14.9 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники