Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
MRF8P20100HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 2025 28 48.9 20 16 44.3 Да NI-780-4
BLF6G20-110 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1800 2000 28 - 110 19 32 Да SOT-502A
BLF8G24LS-150V Силовой LDMOS-транзистор - NXP LDMOS транзисторы
2300 2400 28 - 150 19 33 Да SOT-1244B
MRF7S21080HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 49 22 18 32 Да NI-780
BLM6G10-30 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
860 960 28 - 30 29 11.5 Да SOT-834-1
A2T20H330W24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 2025 28 53.8 58 16.9 50.5 Да NI-1230S-4L2L
SD57120 Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
700 1000 28 - 120 14 60 Да M252
MRFE6S9160HR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
865 960 28 52 35 21 31 Да NI-780
MRF8P23160WHR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 51.8 30 14.1 36.5 Да NI-780-4
BLC8G22LS-450AV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2110 2170 28 - 450 14 41 Да SOT-1258-1
MRF7S19170HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1930 1990 28 52.3 50 17.2 32 Да NI-880S
BLF6G20LS-75 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1800 2000 28 - 75 19 52 Да SOT-502B
MD8IC970GNR1 Широкополосный радиочастотный LDMOS транзистор со встроенным усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
850 940 28 49 35 32.6 42.1 Да TO-270WBL-16GULL
BLF8G24LS-100GV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2300 2400 28 - 100 19 32 Да SOT-1244C
AFT27S006NT1 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
100 3600 28 37.8 0.76 22.5 20.2 Да PLD--1.5W
A2T18H410-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1880 28 55.5 71 17.4 51.2 Да NI-1230S-4L2L
SD57060-01 Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 945 28 - 60 13 60 Да M250
MRFE6S9125NBR1 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
865 960 28 51 27 20.2 31 Да TO-272WB-4
MRF8P23080HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 47.4 16 14.6 42 Да NI-780S-4
BLC8G21LS-160AV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1805 2025 28 - 160 16 49 Да SOT-1275-1
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019