Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы LDMOS транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В		 P1dB
дБм		 POUT
Вт		 Gain (тип.)
дБ		 µD
%		 Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц		 F (макс.)
МГц
                           
MRF5S9080NBR1 MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 869 960 26 80 80 18 59 Да TO-272WB-4
MRF6V3090N Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 470 860 50 49.5 18 22 28.5 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
MRF6VP3091N Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 470 860 50 49.5 18 22 28.5 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
MRF6V2150N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 10 450 50 51.8 150 25 68.3 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
MRF6S18060NBR1 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1800 2000 26 47.8 60 15 50 Да TO-272WB-4
MRF8P9040NBR1 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 728 960 28 46.2 4 19.1 19.9 Да TO-272WB-4
MRF6V2300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 10 600 50 54.8 300 25.5 68 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
MRFE6S9125NBR1 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 865 960 28 51 27 20.2 31 Да TO-272WB-4
MRF6V4300N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 10 600 50 54.8 300 22 60 Да TO-270WB-4
TO-272WB-4
MW7IC2220N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 43 2 31 13 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
MW6IC1940N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1920 2000 28 46 4.5 28.5 13.5 Да TO-272WB-16
MW7IC2425N Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2400 2500 28 44 25 27.7 43.8 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
MW7IC2725N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2500 2700 28 44 4 28.5 17 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
MW7IC2040N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1930 1990 28 44.8 4 32 17.5 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
MW7IC930N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 920 960 28 44.9 3.2 35.9 16.5 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
MD7IC2050N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 1880 2025 28 47.8 10 30.5 37.4 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
TO-272WB-14
MWE6IC9080N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 865 960 28 49.5 80 28.5 52.3 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
TO-272WB-14
MWE6IC9100NBR1 Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 865 960 26 50.5 100 33.5 54 Да TO-272WB-14
MD7IC2250N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 2110 2170 28 47.3 5.3 31.1 16.8 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
TO-272WB-14
MRF1570N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
 136 520 12.5 48.5 70 11.5 60 Да TO-272-8-WRAP
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 30 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники