+ A2I25D012N, Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

A2I25D012N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем

 

Блок-схема

A2I25D012N, Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем
Увеличить

Группа компонентов

LDMOS транзисторы

Основные параметры

Тактовая частота: F (мин.),МГц 2100
Тактовая частота: F (макс.),МГц 2900
VDS,В 28
P1dB,дБм 41.9
POUT,Вт 2.2
Gain (тип.),дБ 33.2
µD,% 19.8
Согласованный Да
Корпус TO-270WB-15 TO-270WBG-15

Общее описание
Datasheet
 
A2I25D012N (507.9 Кб), 29.05.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

A2I25D012N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем (507.9 Кб), 29.05.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 1072 		Дата публикации: 29.05.2015 12:09
Дата редактирования: 29.05.2015 12:13

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники