+ A2I22D050N, Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

A2I22D050N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем

 

Блок-схема

A2I22D050N, Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем
Увеличить

Группа компонентов

LDMOS транзисторы

Основные параметры

Тактовая частота: F (мин.),МГц 1800
Тактовая частота: F (макс.),МГц 2200
VDS,В 28
P1dB,дБм 46.5
POUT,Вт 5.3
Gain (тип.),дБ 32.6
µD,% 17.9
Согласованный Да
Корпус TO-270WB-15 TO-270WBG-15

Общее описание
Datasheet
 
A2I22D050N (751.2 Кб), 29.05.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

A2I22D050N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем (751.2 Кб), 29.05.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 962 		Дата публикации: 29.05.2015 10:46
Дата редактирования: 29.05.2015 10:51

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники