Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
BLF178XRS Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 128 50 - 1400 23 80 Да SOT-539B
BLF178XR Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 128 50 - 1400 23 80 Да SOT-539A
BLF578XRS Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов NXP LDMOS транзисторы
10 500 50 - 1400 23.5 69 Да SOT-539B
BLF578XR Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов NXP LDMOS транзисторы
10 500 50 - 1400 23.5 69 Да SOT-539A
BLF188XRG Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 1400 26.5 83 Да SOT-1248C
BLF188XRS Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 1400 29 75 Да SOT-539B
BLF188XR Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 1400 29 75 Да SOT-539A
MRFE6VP61K25N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 61 1250 23 72.3 Да OM-1230-4L
OM-1230G-4L
MRFE6VP61K25H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 600 50 61 1250 22.9 74.5 Да NI-1230GS-4L
NI-1230H-4S
NI-1230S-4S
BLF178P Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 128 50 - 1200 26 75 Да SOT-539A
BLF578 Радиочастотный LDMOS-транзистор для HF/VHF диапазонов NXP LDMOS транзисторы
10 500 50 - 1200 26 75 Да SOT-539A
MRF6VP41KH Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
10 500 50 60 1000 20 64 Да NI-1230
NI-1230S
MRF6VP21KH Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
10 235 50 60 1000 24 67.5 Да NI-1230
MRF6VP11KH Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 150 50 60 1000 26 71 Да NI-1230-4
NI-1230S-4GULL
BLA6H0912LS-1000 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
960 1215 50 - 1000 16 52 Да SOT-539B
BLA6H0912L-1000 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
960 1215 50 - 1000 16 52 Да SOT-539A
MRF6VP121KH Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
965 1215 50 60 1000 20 56 Да NI-1230
NI-1230S
BLF184XRG Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 700 23.9 73.5 Да SOT-1214C
BLF184XRS Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 700 23.9 73.5 Да SOT-1214B
BLF184XR Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
10 600 50 - 700 23.9 73.5 Да SOT-1214A
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019