Компоненты группы LDMOS транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
| F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BLF7G27L-150P | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 150 | 16.5 | 26 | Да |
|
| BLF7G27LS-140 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 140 | 16.5 | 22 | Да |
|
| MRF7S27130HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | 51.1 | 23 | 16.5 | 20 | Да |
|
| BLA8G1011LS-300G | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1030 | 1090 | 32 | - | 300 | 16.5 | 56 | Да |
|
| BLF7G27L-140 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 140 | 16.5 | 22 | Да |
|
| MRF7S27130HR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | 51.1 | 23 | 16.5 | 20 | Да |
|
| BLA8G1011L-300G | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1030 | 1090 | 32 | - | 300 | 16.5 | 56 | Да |
|
| BLA8G1011LS-300 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1030 | 1090 | 32 | - | 300 | 16.5 | 56 | Да |
|
| BLA8G1011L-300 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1030 | 1090 | 32 | - | 300 | 16.5 | 56 | Да |
|
| BLF6G27L-50BN | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 50 | 16.5 | 14.5 | Да |
|
| PD57018-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 28 | - | 18 | 16.5 | 53 | Да |
|
| BLS7G2325L-105 | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2500 | 30 | - | 105 | 16.5 | 55 | Да |
|
| MRF8P20160HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1880 | 2025 | 28 | 50.3 | 37 | 16.5 | 45.8 | Да |
|
| MRF8P20160HR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1880 | 2025 | 28 | 50.3 | 37 | 16.5 | 45.8 | Да |
|
| BLF6G20LS-140 | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1800 | 2000 | 28 | - | 140 | 16.5 | 30 | Да |
|
| CLF1G0060S-30 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 30 | 16.6 | 61 | Да |
|
| CLF1G0060-30 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 30 | 16.6 | 61 | Да |
|
| AFT21S232SR3 | Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 53.6 | 50 | 16.7 | 30.5 | Да |
|
| AFT21S230-12SR3 | Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 53.6 | 50 | 16.7 | 30.5 | Да |
|
| AFT21S230SR3 | Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 53.6 | 50 | 16.7 | 30.5 | Да |
|
