Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
BLF6G10-45 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
700 1000 28 - 45 22.5 7.8 Да SOT-608A
BLF6G10S-45 Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
700 1000 28 - 45 23 8 Да SOT-608B
BLM6G22-30 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2100 2200 28 - 30 29.5 9 Да SOT-834-1
BLM6G22-30G Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2100 2200 28 - 30 29.5 9 Да SOT-822-1
BLM7G24S-30BG Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2100 2400 28 - 30 31.5 11.3 Да SOT-1212-1
BLM7G22S-60PBG Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2100 2400 28 - 60 31.5 11.3 Да SOT-1212-1
BLM7G22S-60PB Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2100 2400 28 - 60 31.5 11.3 Да SOT-1211-1
BLM6G10-30 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
860 960 28 - 30 29 11.5 Да SOT-834-1
BLF6G15L-40BRN Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1450 1550 28 - 40 22 13 Да SOT-1112A
MW7IC2220N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 43 2 31 13 Да TO-270WB-16
TO-270WB-16GULL
TO-272WB-16
BLF6G22-45 Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2000 2200 28 - 45 18.5 13 Да SOT-608A
BLF6G15LS-40RN Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1450 1550 28 - 40 22.5 13.5 Да SOT-1135B
BLF6G15L-40RN Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1450 1550 28 - 40 22.5 13.5 Да SOT-1135A
MW6IC1940N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1920 2000 28 46 4.5 28.5 13.5 Да TO-272WB-16
MD7IC1812N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 2170 28 40.8 1.3 31.5 14 Да TO-270WB-14
TO-270WBG-14
BLF6G20S-45 Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1800 2000 28 - 45 19.2 14 Да SOT-608B
BLF6G20-45 Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1800 2000 28 - 45 19.2 14 Да SOT-608A
BLF6G27L-50BN Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2500 2700 28 - 50 16.5 14.5 Да SOT-1112A
MD7IC2012N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 2170 28 40.8 1.3 31.5 14.9 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
MRF6S20010GNR1 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1600 2200 28 40 1 15.5 15 Да TO-270G-2
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019