Компоненты группы LDMOS транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
BLF6G10-45 | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 45 | 22.5 | 7.8 | Да |
|
|
BLF6G10S-45 | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 1000 | 28 | - | 45 | 23 | 8 | Да |
|
|
BLM6G22-30 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2100 | 2200 | 28 | - | 30 | 29.5 | 9 | Да |
|
|
BLM6G22-30G | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2100 | 2200 | 28 | - | 30 | 29.5 | 9 | Да |
|
|
BLM7G24S-30BG | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2100 | 2400 | 28 | - | 30 | 31.5 | 11.3 | Да |
|
|
BLM7G22S-60PBG | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2100 | 2400 | 28 | - | 60 | 31.5 | 11.3 | Да |
|
|
BLM7G22S-60PB | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2100 | 2400 | 28 | - | 60 | 31.5 | 11.3 | Да |
|
|
BLM6G10-30 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
860 | 960 | 28 | - | 30 | 29 | 11.5 | Да |
|
|
BLF6G15L-40BRN | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1450 | 1550 | 28 | - | 40 | 22 | 13 | Да |
|
|
MW7IC2220N | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 43 | 2 | 31 | 13 | Да |
|
|
BLF6G22-45 | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2000 | 2200 | 28 | - | 45 | 18.5 | 13 | Да |
|
|
BLF6G15LS-40RN | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1450 | 1550 | 28 | - | 40 | 22.5 | 13.5 | Да |
|
|
BLF6G15L-40RN | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1450 | 1550 | 28 | - | 40 | 22.5 | 13.5 | Да |
|
|
MW6IC1940N | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1920 | 2000 | 28 | 46 | 4.5 | 28.5 | 13.5 | Да |
|
|
MD7IC1812N | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1805 | 2170 | 28 | 40.8 | 1.3 | 31.5 | 14 | Да |
|
|
BLF6G20S-45 | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1800 | 2000 | 28 | - | 45 | 19.2 | 14 | Да |
|
|
BLF6G20-45 | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1800 | 2000 | 28 | - | 45 | 19.2 | 14 | Да |
|
|
BLF6G27L-50BN | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 50 | 16.5 | 14.5 | Да |
|
|
MD7IC2012N | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1805 | 2170 | 28 | 40.8 | 1.3 | 31.5 | 14.9 | Да |
|
|
MRF6S20010GNR1 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1600 | 2200 | 28 | 40 | 1 | 15.5 | 15 | Да |
|