Компоненты группы LDMOS транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
| F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| AFT05MS004N | Радиочастотный LDMOS транзистор серии Airfast мощностью 4 Вт |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
136 | 941 | 7.5 | 36 | 4.9 | 20.9 | 74.9 | Нет |
SOT-89 |
| BLS7G3135LS-350P | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
3100 | 3500 | 32 | - | 350 | 12 | 43 | Нет |
|
| BLP7G22-10 | LDMOS транзистор мощностью 10 Вт с чрезвычайно широкой полосой пропускания |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
700 | 2700 | 28 | - | 10 | 14.5 | 26 | Нет |
|
| BLF2425M7LS140 | Высокоэффективный радиочастотный LDMOS- транзистор мощностью 140 Вт для нелицензируемого диапазона частот (ISM) 2.45 ГГц |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | - | 140 | 18.5 | 52 | Нет |
|
| BLF7G27LS-100 | LDMOS-транзистор высокой мощности |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 100 | 18 | 28 | Нет |
|
| BLL6H0514L-130 | Силовые LDMOS-транзисторы |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
500 | 1400 | 50 | - | 130 | 10 | 54 | Да |
|
| BLF7G27L-200PB | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2600 | 2700 | 32 | - | 200 | 16.5 | 29 | Да |
|
| MRF8P20100HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1805 | 2025 | 28 | 48.9 | 20 | 16 | 44.3 | Да |
|
| BLF888BS | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
470 | 860 | 50 | - | 650 | 21 | 46 | Да |
|
| MRFE6VP100H | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1.8 | 2000 | 50 | 50 | 100 | 27.2 | 70 | Да |
|
| PD55003-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 500 | 12.5 | - | 3 | 17 | 55 | Да |
|
| BLF6G20LS-110 | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1800 | 2000 | 28 | - | 110 | 19 | 32 | Да |
|
| MRF5S9080NBR1 | MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
869 | 960 | 26 | 80 | 80 | 18 | 59 | Да |
|
| BLF8G24LS-150GV | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | - | 150 | 19 | 33 | Да |
|
| MRF7S21080HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 49 | 22 | 18 | 32 | Да |
|
| BLM6G22-30 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2100 | 2200 | 28 | - | 30 | 29.5 | 9 | Да |
|
| MD7IC2050N | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1880 | 2025 | 28 | 47.8 | 10 | 30.5 | 37.4 | Да |
|
| LET16045C | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 1600 | 28 | - | 45 | 16 | 55 | Да |
|
| BLF7G10LS-250 | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
869 | 960 | 30 | - | 250 | 19.5 | 27.4 | Да |
|
| MRFE6S9160HSR3 | Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
865 | 960 | 28 | 52 | 35 | 21 | 31 | Да |
|
