Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
MRF6S19140HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1930 1990 28 51.5 29 16 27.5 Да NI-880S
BLA6H0912LS-1000 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
960 1215 50 - 1000 16 52 Да SOT-539B
MRF6S19140HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1930 1990 28 51.5 29 16 27.5 Да NI-880
BLA6H0912L-1000 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
960 1215 50 - 1000 16 52 Да SOT-539A
PD85025C Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 945 13.6 - 25 16 73 Да M243
LET9070FB Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
100 945 28 - 80 16 65 Да M250
PD85015-E Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 870 13.6 - 15 16 70 Да PowerSO-10RF
MRF8P20140WGHSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 2025 28 51.5 24 16 43.7 Да NI-780GS-4L
MRF8P20140WHSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 2025 28 51.5 24 16 43.7 Да NI-780S-4L
MRF8P20140WHR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 2025 28 51.5 24 16 43.7 Да NI-780H-4L
A2T21H360-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2100 2170 28 54.8 63 16.2 51.8 Да NI-1230S-4L2L
MRF8P20165WHR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1930 1995 28 50.2 37 16.3 47.7 Да NI-780-4
MRF8P20165WHSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1930 1995 28 50.2 37 16.3 47.7 Да NI-780S-4
AFT21H350W04GSR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 50.4 63 16.4 47.1 Да NI-1230GS-4L
AFT21H350W03SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 50.4 63 16.4 47.1 Да NI-1230S-4S
AFT18P350-4S2LR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1880 28 55 63 16.4 44.5 Да NI-1230-4LS2L
A2T26H160-24SR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 51.4 28 16.4 48.1 Да NI-780S-4L2L
MRF8P20161HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 1920 28 49.9 37 16.4 45.8 Да NI-780S-4
BLF7G27L-200PB Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2600 2700 32 - 200 16.5 29 Да SOT-1110A
BLF7G27LS-150P Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2500 2700 28 - 150 16.5 26 Да SOT-539B
Страницы: предыдущая 1 ... 4 5 6 7 8 9 10 11 12 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019