Компоненты группы LDMOS транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
MRF6S19140HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1930 | 1990 | 28 | 51.5 | 29 | 16 | 27.5 | Да |
|
|
BLA6H0912LS-1000 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
960 | 1215 | 50 | - | 1000 | 16 | 52 | Да |
|
|
MRF6S19140HR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1930 | 1990 | 28 | 51.5 | 29 | 16 | 27.5 | Да |
|
|
BLA6H0912L-1000 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
960 | 1215 | 50 | - | 1000 | 16 | 52 | Да |
|
|
PD85025C | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST | STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 13.6 | - | 25 | 16 | 73 | Да |
|
|
LET9070FB | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST | STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
100 | 945 | 28 | - | 80 | 16 | 65 | Да |
|
|
PD85015-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST | STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 870 | 13.6 | - | 15 | 16 | 70 | Да |
|
|
MRF8P20140WGHSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1880 | 2025 | 28 | 51.5 | 24 | 16 | 43.7 | Да |
|
|
MRF8P20140WHSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1880 | 2025 | 28 | 51.5 | 24 | 16 | 43.7 | Да |
|
|
MRF8P20140WHR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1880 | 2025 | 28 | 51.5 | 24 | 16 | 43.7 | Да |
|
|
A2T21H360-24SR6 | Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2100 | 2170 | 28 | 54.8 | 63 | 16.2 | 51.8 | Да |
|
|
MRF8P20165WHR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1930 | 1995 | 28 | 50.2 | 37 | 16.3 | 47.7 | Да |
|
|
MRF8P20165WHSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1930 | 1995 | 28 | 50.2 | 37 | 16.3 | 47.7 | Да |
|
|
AFT21H350W04GSR6 | Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 50.4 | 63 | 16.4 | 47.1 | Да |
|
|
AFT21H350W03SR6 | Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 50.4 | 63 | 16.4 | 47.1 | Да |
|
|
AFT18P350-4S2LR6 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1805 | 1880 | 28 | 55 | 63 | 16.4 | 44.5 | Да |
|
|
A2T26H160-24SR3 | Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | 51.4 | 28 | 16.4 | 48.1 | Да |
|
|
MRF8P20161HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1880 | 1920 | 28 | 49.9 | 37 | 16.4 | 45.8 | Да |
|
|
BLF7G27L-200PB | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2600 | 2700 | 32 | - | 200 | 16.5 | 29 | Да |
|
|
BLF7G27LS-150P | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 150 | 16.5 | 26 | Да |
|