Компоненты группы LDMOS транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
BLL6H0514L-130 | Силовые LDMOS-транзисторы | NXP |
LDMOS транзисторы |
500 | 1400 | 50 | - | 130 | 10 | 54 | Да |
|
|
BLF7G27L-200PB | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2600 | 2700 | 32 | - | 200 | 16.5 | 29 | Да |
|
|
MRF8P20100HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1805 | 2025 | 28 | 48.9 | 20 | 16 | 44.3 | Да |
|
|
BLF888BS | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
470 | 860 | 50 | - | 650 | 21 | 46 | Да |
|
|
MRFE6VP100H | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1.8 | 2000 | 50 | 50 | 100 | 27.2 | 70 | Да |
|
|
PD55003-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST | STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 500 | 12.5 | - | 3 | 17 | 55 | Да |
|
|
BLF6G20LS-110 | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1800 | 2000 | 28 | - | 110 | 19 | 32 | Да |
|
|
MRF5S9080NBR1 | MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
869 | 960 | 26 | 80 | 80 | 18 | 59 | Да |
|
|
BLF8G24LS-150GV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | - | 150 | 19 | 33 | Да |
|
|
MRF7S21080HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2110 | 2170 | 28 | 49 | 22 | 18 | 32 | Да |
|
|
BLM6G22-30 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2100 | 2200 | 28 | - | 30 | 29.5 | 9 | Да |
|
|
MD7IC2050N | Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1880 | 2025 | 28 | 47.8 | 10 | 30.5 | 37.4 | Да |
|
|
LET16045C | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST | STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 1600 | 28 | - | 45 | 16 | 55 | Да |
|
|
BLF7G10LS-250 | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
869 | 960 | 30 | - | 250 | 19.5 | 27.4 | Да |
|
|
MRFE6S9160HSR3 | Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
865 | 960 | 28 | 52 | 35 | 21 | 31 | Да |
|
|
BLF184XRG | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 600 | 50 | - | 700 | 23.9 | 73.5 | Да |
|
|
MRF8P23160WHSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | 51.8 | 30 | 14.1 | 36.5 | Да |
|
|
BLS6G2731S-130 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2700 | 3100 | 32 | - | 130 | 12 | 50 | Да |
|
|
BLC8G24LS-240AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | - | 240 | 15 | 44 | Да |
|
|
BLF7G27LS-150P | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 150 | 16.5 | 26 | Да |
|