+ CLF1G0060-30, Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT
 

Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

CLF1G0060-30 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT

 

Блок-схема

CLF1G0060-30, Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT

Группа компонентов

LDMOS транзисторы

Основные параметры

Тактовая частота: F (мин.),МГц 0
Тактовая частота: F (макс.),МГц 6000
VDS,В 50
POUT,Вт 30
Gain (тип.),дБ 16.6
µD,% 61
Согласованный Да
Корпус SOT-1227A

Общее описание
Datasheet
 
CLF1G0060-30 (200.2 Кб), 07.07.2015

Производитель
 

Где купить
 


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

CLF1G0060-30 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT (200.2 Кб), 07.07.2015



Автор документа: Жанна Свирина, http://www.gaw.ru
 Кол-во просмотров: 644 		Дата публикации: 07.07.2015 08:17
Дата редактирования: 07.07.2015 08:18

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники