Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
MRFE6S9160HSR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
865 960 28 52 35 21 31 Да NI-780S
AFIC10275N Широкополосный интегральный усилитель на основе LDMOS-транзисторов Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
978 1090 50 54 250 32.6 61 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
MRF7S21080HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 49 22 18 32 Да NI-780S
MRFE6VP100H Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 2000 50 50 100 27.2 70 Да NI-780-4
NI-780S-4
AFT27S010N Радиочастотный LDMOS транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
100 3600 28 40 1.26 21.7 22.6 Да PLD--1.5W
MRF6S20010NR1 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1600 2200 28 40 1 15.5 15 Да TO-270-2
AFT26P100-4WGSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 49.4 22 15.3 43.9 Да NI-780GS-4L
MHT2000N Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2450 2450 28 44 25 27.7 43.8 Да TO-270WB-16
TO-270WBG-16
MRF8S9170NR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 52.5 50 19.3 36.5 Да OM-780-2
A2I25D025GNR1 Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор с интегрированным усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2100 2900 28 43.8 3.2 32.5 20 Да TO-270WBG-17
MRF1517NT1 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
136 520 7.5 39 8 14 70 Да PLD--1.5W
MWE6IC9100NBR1 Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
865 960 26 50.5 100 33.5 54 Да TO-272WB-14
AFT18H357-24NR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1880 28 53 63 17.5 48.7 Да OM-1230-4L2L
MRF8S21120HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2110 2170 28 50.3 28 17.6 34 Да NI-780S
MRFE6VS25N Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 2000 50 44 25 25.5 74.5 Да TO-270-2
TO-270-2GULL
MRF5S9080NBR1 MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
869 960 26 80 80 18 59 Да TO-272WB-4
MRF8P20100HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 2025 28 48.9 20 16 44.3 Да NI-780S-4
MRF8P23160WHSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2300 2400 28 51.8 30 14.1 36.5 Да NI-780S-4
MD7IC2050N Радиочастотный LDMOS-транзистор со встроенным силовым усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1880 2025 28 47.8 10 30.5 37.4 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
TO-272WB-14
MRF8S9260HSR3 Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
920 960 28 54.1 75 18.6 38.5 Да NI-880S
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019