Компоненты группы LDMOS транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
| F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| PD55003-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 500 | 12.5 | - | 3 | 17 | 55 | Да |
|
| LET16045C | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 1600 | 28 | - | 45 | 16 | 55 | Да |
|
| PD20015C | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 2000 | 13.6 | - | 15 | 11 | 53 | Да |
|
| PD20015-E | Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 2000 | 13.6 | - | 15 | 11 | 53 | Да |
|
| SD57060-01 | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 28 | - | 60 | 13 | 60 | Да |
|
| PD20010-E | Радиочастотный силовой MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 2000 | 13.6 | - | 10 | 11 | 53 | Да |
|
| SD57060 | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 28 | - | 60 | 15 | 60 | Да |
|
| CLF1G0060S-30 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 30 | 16.6 | 61 | Да |
|
| SD57045-01 | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 28 | - | 45 | 15 | 55 | Да |
|
| CLF1G0060-30 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 30 | 16.6 | 61 | Да |
|
| SD57045 | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 28 | - | 45 | 18.5 | 65 | Да |
|
| CLF1G0060S-10 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 10 | 18.8 | 48.2 | Да |
|
| SD57030-01 | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 28 | - | 30 | 13 | 60 | Да |
|
| CLF1G0060-10 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 10 | 18.8 | 48.2 | Да |
|
| SD57030 | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 28 | - | 30 | 13 | 60 | Да |
|
| SD56120M | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 860 | 32 | - | 120 | 13 | 50 | Да |
|
| CLF1G0035S-100P | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 100 | 14.4 | 54.4 | Да |
|
| SD56120 | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 860 | 28 | - | 100 | 16 | 60 | Да |
|
| CLF1G0035-100P | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 100 | 14.4 | 54.4 | Да |
|
| PD57070-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 28 | - | 70 | 14.7 | 50 | Да |
|
