Компоненты группы LDMOS транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
MW7IC008NT1 | Широкополосный радиочастотный LDMOS-транзистор с интегрированным усилителем | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
100 | 1000 | 28 | 38.1 | 6.5 | 23.5 | 34 | Да |
|
|
MD8IC970NR1 | Широкополосный радиочастотный LDMOS транзистор со встроенным усилителем | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
850 | 940 | 28 | 49 | 35 | 32.6 | 42.1 | Да |
|
|
MD8IC970GNR1 | Широкополосный радиочастотный LDMOS транзистор со встроенным усилителем | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
850 | 940 | 28 | 49 | 35 | 32.6 | 42.1 | Да |
|
|
AFIC10275N | Широкополосный интегральный усилитель на основе LDMOS-транзисторов | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
978 | 1090 | 50 | 54 | 250 | 32.6 | 61 | Да |
|
|
CLF1G0035S-100P | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT | NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 100 | 14.4 | 54.4 | Да |
|
|
CLF1G0060-10 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT | NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 10 | 18.8 | 48.2 | Да |
|
|
CLF1G0060S-10 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT | NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 10 | 18.8 | 48.2 | Да |
|
|
CLF1G0035-50 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT | NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 50 | 15 | 65 | Да |
|
|
CLF1G0060-30 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT | NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 30 | 16.6 | 61 | Да |
|
|
CLF1G0035S-50 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT | NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 50 | 15 | 65 | Да |
|
|
CLF1G0060S-30 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT | NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 30 | 16.6 | 61 | Да |
|
|
CLF1G0035-100 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT | NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 100 | 15.5 | 67.4 | Да |
|
|
CLF1G0035S-100 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT | NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 100 | 15.5 | 67.4 | Да |
|
|
CLF1G0035-100P | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT | NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 100 | 14.4 | 54.4 | Да |
|
|
BLL6H0514L-130 | Силовые LDMOS-транзисторы | NXP |
LDMOS транзисторы |
500 | 1400 | 50 | - | 130 | 10 | 54 | Да |
|
|
BLL6H0514LS-130 | Силовые LDMOS-транзисторы | NXP |
LDMOS транзисторы |
500 | 1400 | 50 | - | 130 | 10 | 54 | Да |
|
|
BLF6G13L-250P | Силовой, двухтактный LDMOS-транзистор мощностью 250 Вт | NXP |
LDMOS транзисторы |
1300 | 1300 | 50 | - | 250 | 17 | 56 | Да |
|
|
BLF6G13LS-250P | Силовой, двухтактный LDMOS-транзистор мощностью 250 Вт | NXP |
LDMOS транзисторы |
1300 | 1300 | 50 | - | 250 | 17 | 56 | Да |
|
|
BLF6G22-45 | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2000 | 2200 | 28 | - | 45 | 18.5 | 13 | Да |
|
|
BLF7G10LS-250 | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
869 | 960 | 30 | - | 250 | 19.5 | 27.4 | Да |
|