Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
MW7IC008NT1 Широкополосный радиочастотный LDMOS-транзистор с интегрированным усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
100 1000 28 38.1 6.5 23.5 34 Да PQFN-8
MD8IC970NR1 Широкополосный радиочастотный LDMOS транзистор со встроенным усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
850 940 28 49 35 32.6 42.1 Да TO-270WBL-16
MD8IC970GNR1 Широкополосный радиочастотный LDMOS транзистор со встроенным усилителем Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
850 940 28 49 35 32.6 42.1 Да TO-270WBL-16GULL
AFIC10275N Широкополосный интегральный усилитель на основе LDMOS-транзисторов Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
978 1090 50 54 250 32.6 61 Да TO-270WB-14
TO-270WB-14GULL
CLF1G0035S-100P Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT NXP LDMOS транзисторы
0 3500 50 - 100 14.4 54.4 Да SOT-1228B
CLF1G0060-10 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT NXP LDMOS транзисторы
0 6000 50 - 10 18.8 48.2 Да SOT-1227A
CLF1G0060S-10 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT NXP LDMOS транзисторы
0 6000 50 - 10 18.8 48.2 Да SOT-1227B
CLF1G0035-50 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT NXP LDMOS транзисторы
0 3500 50 - 50 15 65 Да SOT-467C
CLF1G0060-30 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT NXP LDMOS транзисторы
0 6000 50 - 30 16.6 61 Да SOT-1227A
CLF1G0035S-50 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT NXP LDMOS транзисторы
0 3500 50 - 50 15 65 Да SOT-467B
CLF1G0060S-30 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT NXP LDMOS транзисторы
0 6000 50 - 30 16.6 61 Да SOT-1227B
CLF1G0035-100 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT NXP LDMOS транзисторы
0 3500 50 - 100 15.5 67.4 Да SOT-467C
CLF1G0035S-100 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT NXP LDMOS транзисторы
0 3500 50 - 100 15.5 67.4 Да SOT-467B
CLF1G0035-100P Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT NXP LDMOS транзисторы
0 3500 50 - 100 14.4 54.4 Да SOT-1228A
BLL6H0514L-130 Силовые LDMOS-транзисторы NXP LDMOS транзисторы
500 1400 50 - 130 10 54 Да SOT-1135A
BLL6H0514LS-130 Силовые LDMOS-транзисторы NXP LDMOS транзисторы
500 1400 50 - 130 10 54 Да SOT-1135B
BLF6G13L-250P Силовой, двухтактный LDMOS-транзистор мощностью 250 Вт NXP LDMOS транзисторы
1300 1300 50 - 250 17 56 Да SOT-1121A
BLF6G13LS-250P Силовой, двухтактный LDMOS-транзистор мощностью 250 Вт NXP LDMOS транзисторы
1300 1300 50 - 250 17 56 Да SOT-1121B
BLF6G22-45 Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2000 2200 28 - 45 18.5 13 Да SOT-608A
BLF7G10LS-250 Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
869 960 30 - 250 19.5 27.4 Да SOT-502B
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019