Компоненты группы LDMOS транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
| F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| BLL6H0514L-130 | Силовые LDMOS-транзисторы |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
500 | 1400 | 50 | - | 130 | 10 | 54 | Да |
|
| BLF888BS | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
470 | 860 | 50 | - | 650 | 21 | 46 | Да |
|
| MRFE6VP100H | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1.8 | 2000 | 50 | 50 | 100 | 27.2 | 70 | Да |
|
| BLF184XRG | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 600 | 50 | - | 700 | 23.9 | 73.5 | Да |
|
| BLF888B | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
470 | 860 | 50 | - | 650 | 21 | 46 | Да |
|
| MRF6VP41KH | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
10 | 500 | 50 | 60 | 1000 | 20 | 64 | Да |
NI-1230 NI-1230S |
| BLF184XRS | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 600 | 50 | - | 700 | 23.9 | 73.5 | Да |
|
| BLF888AS | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
470 | 860 | 50 | - | 600 | 20 | 67 | Да |
|
| MRF6VP2600HR6 | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2 | 500 | 50 | 57.8 | 125 | 25 | 28.5 | Да |
NI-1230 |
| BLL8H1214LS-500 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1200 | 1400 | 50 | - | 500 | 17 | 50 | Да |
|
| BLF6H10LS-160 | Силовой радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
729 | 960 | 50 | - | 160 | 20 | 34 | Да |
|
| BLF184XR | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 600 | 50 | - | 700 | 23.9 | 73.5 | Да |
|
| BLF888A | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
470 | 860 | 50 | - | 600 | 20 | 67 | Да |
|
| MRF6VP21KH | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
10 | 235 | 50 | 60 | 1000 | 24 | 67.5 | Да |
NI-1230 |
| BLL8H1214L-500 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1200 | 1400 | 50 | - | 500 | 17 | 50 | Да |
|
| BLF183XRS | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
10 | 600 | 50 | - | 350 | 28 | 75 | Да |
|
| BLF884PS | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
470 | 860 | 50 | - | 350 | 21 | 46 | Да |
|
| MRF6VP11KH | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1.8 | 150 | 50 | 60 | 1000 | 26 | 71 | Да |
|
| CLF1G0060S-30 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 6000 | 50 | - | 30 | 16.6 | 61 | Да |
|
| BLL8H1214LS-250 | Радиочастотный LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1200 | 1400 | 50 | - | 250 | 17 | 55 | Да |
|
