Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
MRF6S18060NR1 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1800 2000 26 47.8 60 15 50 Да TO-270WB-4
CLF1G0035S-50 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT NXP LDMOS транзисторы
0 3500 50 - 50 15 65 Да SOT-467B
CLF1G0035-50 Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT NXP LDMOS транзисторы
0 3500 50 - 50 15 65 Да SOT-467C
PD57006-E Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 945 28 - 6 15 55 Да PowerSO-10RF
BLL6G1214LS-250 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1200 1400 36 - 250 15 45 Да SOT-502B
BLL6G1214L-250 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
1200 1400 36 - 250 15 45 Да SOT-502A
PD57002-E Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 960 28 - 2 15 55 Да PowerSO-10RF
MRF1513NT1 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
136 520 7.5 34.8 3 15 65 Да PLD--1.5W
BLF2425M7LS250P Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2400 2500 28 - 250 15 51 Да SOT-539B
BLF2425M7L250P Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2400 2500 28 - 250 15 51 Да SOT-539A
PD85006L-E Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 870 13.6 - 6 15 63 Да PowerFLAT
PD85006-E Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 870 13.6 - 6 15 63 Да PowerSO-10RF
AFT18H356-24SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1995 28 56 63 15 46.7 Да NI-1230S-4L2L
BLC8G27LS-140AV Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2496 2690 28 - 140 15 46 Да SOT-1275-1
MRF8P26080HSR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 47.3 14 15 36.9 Да NI-780S-4
MRF8P26080HR3 Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2500 2700 28 47.3 14 15 36.9 Да NI-780-4
AFT18HW355SR6 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1805 1880 28 55.4 63 15.2 48.3 Да NI-1230S-4
AFT09MS007NT1 Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
1.8 941 7.5 38.6 7.3 15.2 71 Да PLD--1.5W
AFT26P100-4WGSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 49.4 22 15.3 43.9 Да NI-780GS-4L
AFT26P100-4WSR3 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2496 2690 28 49.4 22 15.3 43.9 Да NI-780S-4L
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019