Компоненты группы LDMOS транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
MRF6S18060NR1 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1800 | 2000 | 26 | 47.8 | 60 | 15 | 50 | Да |
|
|
CLF1G0035S-50 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT | NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 50 | 15 | 65 | Да |
|
|
CLF1G0035-50 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT | NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 50 | 15 | 65 | Да |
|
|
PD57006-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST | STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 945 | 28 | - | 6 | 15 | 55 | Да |
|
|
BLL6G1214LS-250 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1200 | 1400 | 36 | - | 250 | 15 | 45 | Да |
|
|
BLL6G1214L-250 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
1200 | 1400 | 36 | - | 250 | 15 | 45 | Да |
|
|
PD57002-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST | STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 960 | 28 | - | 2 | 15 | 55 | Да |
|
|
MRF1513NT1 | Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
136 | 520 | 7.5 | 34.8 | 3 | 15 | 65 | Да |
|
|
BLF2425M7LS250P | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | - | 250 | 15 | 51 | Да |
|
|
BLF2425M7L250P | Радиочастотный LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2400 | 2500 | 28 | - | 250 | 15 | 51 | Да |
|
|
PD85006L-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST | STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 870 | 13.6 | - | 6 | 15 | 63 | Да |
|
|
PD85006-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST | STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 870 | 13.6 | - | 6 | 15 | 63 | Да |
|
|
AFT18H356-24SR6 | Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1805 | 1995 | 28 | 56 | 63 | 15 | 46.7 | Да |
|
|
BLC8G27LS-140AV | Силовой LDMOS-транзистор | NXP |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | - | 140 | 15 | 46 | Да |
|
|
MRF8P26080HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | 47.3 | 14 | 15 | 36.9 | Да |
|
|
MRF8P26080HR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | 47.3 | 14 | 15 | 36.9 | Да |
|
|
AFT18HW355SR6 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1805 | 1880 | 28 | 55.4 | 63 | 15.2 | 48.3 | Да |
|
|
AFT09MS007NT1 | Радиочастотный широкополосный LDMOS-транзистор | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1.8 | 941 | 7.5 | 38.6 | 7.3 | 15.2 | 71 | Да |
|
|
AFT26P100-4WGSR3 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | 49.4 | 22 | 15.3 | 43.9 | Да |
|
|
AFT26P100-4WSR3 | Радиочастотный LDMOS-транзистор | Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2496 | 2690 | 28 | 49.4 | 22 | 15.3 | 43.9 | Да |
|