Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
BLP7G22-10 LDMOS транзистор мощностью 10 Вт с чрезвычайно широкой полосой пропускания NXP LDMOS транзисторы
700 2700 28 - 10 14.5 26 Нет HVSON-12
BLF7G27L-100 LDMOS-транзистор высокой мощности NXP LDMOS транзисторы
2500 2700 28 - 100 18 28 Да SOT-502A
BLF7G27LS-100 LDMOS-транзистор высокой мощности NXP LDMOS транзисторы
2500 2700 28 - 100 18 28 Нет SOT-502B
MRF5S9080NBR1 MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
869 960 26 80 80 18 59 Да TO-272WB-4
MRF8P8300HR6 MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
750 820 28 55.3 96 20.9 35.7 Да NI-1230-4H
MRF8P8300HSR6 MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
750 820 28 55.3 96 20.9 35.7 Да NI-1230-4S
MRF5S9080NR1 MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
869 960 26 80 80 18 59 Да TO-270WB-4
BLF6G38LS-50 WiMAX силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
3400 3800 28 - 50 14 23 Да SOT-502B
BLF6G38-100 WiMAX силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
3400 3600 28 - 100 13 21.5 Да SOT-502A
BLF6G38LS-100 WiMAX силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
3400 3600 28 - 100 13 21.5 Да SOT-502B
BLF6G38-25 WiMAX силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
3400 3600 28 - 25 15 24 Да SOT-608A
BLF6G38S-25 WiMAX силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
3400 3600 28 - 25 15 24 Да SOT-608B
BLF6G38-10G WiMAX силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
3400 3600 28 - 10 14 20 Да SOT-975C
BLF6G38-50 WiMAX силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
3400 3800 28 - 50 14 23 Да SOT-502A
BLF2425M7L140 Высокоэффективный радиочастотный LDMOS- транзистор мощностью 140 Вт для нелицензируемого диапазона частот (ISM) 2.45 ГГц NXP LDMOS транзисторы
2400 2500 28 - 140 18.5 52 Да SOT-502A
BLF2425M7LS140 Высокоэффективный радиочастотный LDMOS- транзистор мощностью 140 Вт для нелицензируемого диапазона частот (ISM) 2.45 ГГц NXP LDMOS транзисторы
2400 2500 28 - 140 18.5 52 Нет SOT-502B
BLS8G2731LS-400P Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона NXP LDMOS транзисторы
2700 3100 32 - 400 11 45 Да SOT-539B
BLS7G2325L-105 Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона NXP LDMOS транзисторы
2300 2500 30 - 105 16.5 55 Да SOT-502A
BLS7G2729L-350P Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона NXP LDMOS транзисторы
2700 2900 32 - 350 13 50 Да SOT-539A
BLS7G2729LS-350P Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона NXP LDMOS транзисторы
2700 2900 32 - 350 13 50 Да SOT-539B
Страницы: 1 2 3 4 5 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019