Компоненты группы LDMOS транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Тактовая частота | VDS В |
P1dB дБм |
POUT Вт |
Gain (тип.) дБ |
µD % |
Согласованный | Корпус | ||
| F (мин.) МГц |
F (макс.) МГц |
||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| AFT23H200-4S2LR6 | Радиочастотный LDMOS-транзистор семейства AIRFAST |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | 53.2 | 45 | 15.3 | 42.8 | Да |
|
| BLC8G20LS-400AV | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1800 | 2000 | 32 | - | 400 | 15.5 | 44 | Да |
|
| MRF6S20010GNR1 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1600 | 2200 | 28 | 40 | 1 | 15.5 | 15 | Да |
|
| MRF6S20010NR1 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1600 | 2200 | 28 | 40 | 1 | 15.5 | 15 | Да |
|
| CLF1G0035S-100 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 100 | 15.5 | 67.4 | Да |
|
| CLF1G0035-100 | Широкополосный LDMOS-транзистор, выполненный по технологии GaN HEMT |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
0 | 3500 | 50 | - | 100 | 15.5 | 67.4 | Да |
|
| BLF8G38LS-75V | Силовой LDMOS-транзистор | - | NXP |
LDMOS транзисторы |
3400 | 3800 | 30 | - | 75 | 15.5 | 26 | Да |
|
| BLC9G24LS-170AV | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2300 | 2400 | 28 | - | 170 | 15.5 | 48 | Да |
|
| BLC8G27LS-240AV | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2500 | 2700 | 28 | - | 240 | 15.5 | 45 | Да |
|
| BLS6G3135S-20 | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
3100 | 3500 | 32 | - | 20 | 15.5 | 45 | Да |
|
| BLS6G3135-20 | Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
3100 | 3500 | 32 | - | 20 | 15.5 | 45 | Да |
|
| BLC8G27LS-100AV | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2520 | 2620 | 28 | - | 100 | 15.5 | 45 | Да |
|
| BLC8G27LS-60AV | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
2520 | 2620 | 28 | - | 60 | 15.5 | 48 | Да |
|
| PD85025-E | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 870 | 13.6 | - | 25 | 15.7 | 65 | Да |
|
| BLF8G20LS-260A | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1805 | 1880 | 28 | - | 260 | 15.9 | 45.5 | Да |
|
| MRF8P20100HSR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1805 | 2025 | 28 | 48.9 | 20 | 16 | 44.3 | Да |
|
| LET16045C | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 1600 | 28 | - | 45 | 16 | 55 | Да |
|
| MRF8P20100HR3 | Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) |
|
Freescale Semiconductor |
LDMOS транзисторы |
1805 | 2025 | 28 | 48.9 | 20 | 16 | 44.3 | Да |
|
| BLC8G21LS-160AV | Силовой LDMOS-транзистор |
|
NXP |
LDMOS транзисторы |
1805 | 2025 | 28 | - | 160 | 16 | 49 | Да |
|
| SD56120 | Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST |
|
STMicroelectronics |
LDMOS транзисторы |
0 | 860 | 28 | - | 100 | 16 | 60 | Да |
|
