Компоненты группы LDMOS транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Тактовая частота: F (мин.) (МГц)
Тактовая частота: F (макс.) (МГц)
VDS (В)
P1dB (дБм)
POUT (Вт)
Gain (тип.) (дБ)
µD (%)
Согласованный
Корпус
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 30 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Тактовая частота VDS
В
P1dB
дБм
POUT
Вт
Gain (тип.)
дБ
µD
%
Согласованный Корпус
F (мин.)
МГц
F (макс.)
МГц
                           
BLS7G2730LS-200P Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона NXP LDMOS транзисторы
2700 3000 32 - 200 12 48 Да SOT-539B
BLS7G2730L-200P Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона NXP LDMOS транзисторы
2700 3000 32 - 200 12 48 Да SOT-539A
BLS6G2933S-130 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2900 3300 32 - 130 12.5 47 Да SOT-922-1
SD57060-01 Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 945 28 - 60 13 60 Да M250
SD57030-01 Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 945 28 - 30 13 60 Да M250
BLF6G38LS-100 WiMAX силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
3400 3600 28 - 100 13 21.5 Да SOT-502B
SD57030 Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 945 28 - 30 13 60 Да M243
BLF6G38-100 WiMAX силовой радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
3400 3600 28 - 100 13 21.5 Да SOT-502A
SD56120M Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 860 32 - 120 13 50 Да M252
PD57045-E Радиочастотный силовой транзистор семейства LdmoST STMicroelectronics LDMOS транзисторы
0 945 28 - 45 13 52 Да PowerSO-10RF
MRF1518NT1 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
136 850 12.5 39 8 13 60 Да PLD--1.5W
MRF1511NT1 Радиочастотный широкополосный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
66 175 7.5 39 8 13 70 Да PLD--1.5W
BLF9G38LS-90P Силовой LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
3400 3600 28 - 90 13 37.5 Да SOT-1121B
BLS7G2729LS-350P Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона NXP LDMOS транзисторы
2700 2900 32 - 350 13 50 Да SOT-539B
BLS7G2729L-350P Мощный LDMOS-транзистор для радарных систем S-диапазона NXP LDMOS транзисторы
2700 2900 32 - 350 13 50 Да SOT-539A
BLS6G2735LS-30 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2700 3100 32 - 30 13 50 Да SOT-1135B
BLS6G2735L-30 Радиочастотный LDMOS-транзистор NXP LDMOS транзисторы
2700 3100 32 - 30 13 50 Да SOT-1135A
MRF6S24140H Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2400 2500 28 51.5 140 13.2 45 Да NI-880
NI-880S
MRF6P24190H Радиочастотный MOSFET-транзистор с горизонтальным каналом (Lateral MOSFET) Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2400 2500 28 52.8 190 13.2 46.2 Да NI-1230
MHT1001HR5 Радиочастотный LDMOS-транзистор Freescale Semiconductor LDMOS транзисторы
2450 2450 28 52.8 190 13.2 46.2 Да NI-1230H-4S
Страницы: предыдущая 1 2 3 4 5 6 ... 30 следующая




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019