IXTQ30N50L N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

 

Блок-схема

IXTQ30N50L, N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS 500
RDS(ON) 1.8 В,мОм 200
RDS(ON) 2,7 В,мОм 200
RDS(ON) 2,5 В,мОм 200
RDS(ON) 4.5 В,мОм 200
RDS(ON) 10 В,мОм 200
ID 30
PD,Вт 400
Корпус TO-3P

Общее описание

Datasheet
 
IXTH30N50L, IXTQ30N50L, IXTT30N50L (143.1 Кб), 19.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTH30N50L, IXTQ30N50L, IXTT30N50L Power MOSFET with extended FBSOA (143.1 Кб), 19.02.2009




Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 550 Дата публикации: 19.02.2009 19:17
Дата редактирования: 23.01.2012 09:31


подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019