Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| IXTY01N100 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 80000 | 0.1 | 25 |
|
| IXTJ36N20 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET HiPerFET |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 200 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 36 | 300 |
|
| FDMQ86530L | Счетверенный N-канальный PowerTrench® MOSFET-транзистор на 60 В, 8 А, серии GreenBridge™ |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 4 | 60 | - | - | - | 25 | 17.5 | 8 | 22 |
|
| IRLML2803 | Транзистор с логическим уровнем управления |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 400 | 250 | 1.2 | 0.54 |
SOT-23-3 |
| BSC010N04LS | Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | - | 1.3 | 100 | 139 |
|
| BSC010N04LSI | Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 1.4 | 1.05 | 100 | 139 |
|
| BSC014N04LS | Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 1.9 | 1.4 | 100 | 96 |
|
| BSC014N04LSI | Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 2 | 1.45 | 100 | 96 |
|
| BSZ023N04LS | Транзистор серии OptiMOS™ на 40 В, 40 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 40 | - | - | - | 3.2 | 2.35 | 40 | 69 |
|
| IPI029N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.9 | 100 | 136 |
TO-262 |
| IPB026N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.6 | 100 | 136 |
TO-263-3 |
| BSC028N06NS | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.8 | 100 | 83 |
|
| IPP029N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2.9 | 100 | 136 |
|
| BSC039N06NS | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 3.9 | 100 | 69 |
|
| BSC014N06NS | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.45 | 100 | 156 |
|
| BSC016N06NS | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.6 | 100 | 139 |
|
| IPI020N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 120 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2 | 120 | 214 |
TO-262 |
| IPP020N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 120 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 2 | 120 | 214 |
|
| IPB010N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 180 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 0.8 | 180 | 300 |
TO-263-7 |
| IPB014N06N | Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 180 А |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 1.2 | 180 | 214 |
TO-263-7 |
