Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
PHP110NQ08T N-канальный TrenchMOS™ транзистор со стандартным уровнем FET NXP MOSFET
N 1 75 - - - - 7.7 75 230 TO-220AB
STS5NF60L N-channel 60V - 0.045? - 5A - SO-8 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 60 - - - 50 45 5 2.5 SOIC-8
IXTY01N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 80000 80000 80000 80000 80000 0.1 25 TO-252 AA
HUFA76407D3 N-Channel, Logic Level UltraFET Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 107 77 12 38 TO-251 AA
IXTH24N50 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 230 230 230 230 230 24 300 TO-247
IXKR47N60C5 Силовой N-канальный MOSFET-транзистор серии COOLMOS с режимом обогащения, сверхмалый заряд затвора IXYS MOSFET
N 1 600 45 45 45 45 45 47 278 ISOPLUS247
STB9NK60Z N-CHANNEL 600V - 0.85W - 7A D2PAK/I2PAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 850 7 125 D2-PAK
I2PAK
FDS8880 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 9.6 7.9 11.6 2.5 SOIC-8
IRF2804L HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 2.3 280 330 TO-262
ZXMN2B14FH 20V SOT23 N-channel enhancement mode MOSFET with low gate drive capability Zetex MOSFET
N 1 20 100 - - 55 - 4.3 1 SOT-23-6
IXFH26N60Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 600 250 250 250 250 250 26 360 TO-247AD
IRFSL11N50APBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 550 11 190 TO-262
STN1NK60Z N-channel 600V - 13? - 0.8A - SOT-223 Zener-Protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 13000 0.3 3.3 SOT-223-4
FQI19N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 110 21 140 I2PAK
IRL1004 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - 9 6.5 130 200 TO-220AB
IPP320N20N3-G OptiMOS™-3 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 200 - - - - 28 34 136 TO-220-3 ISO
IXFH22N50P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 270 270 270 270 270 22 350 TO-247AD
BSC016N06NS Транзистор серии OptiMOS™ на 60 В, 100 А Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - - 1.6 100 139 SuperSO8
STP90N4F3 N-channel 40 V, 5.4 m?, 80 A, TO-220 STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 5.4 80 110 TO-220
IRFD320PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 400 - - - - 1800 0.49 1 HEXDIP




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019