Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IPA60R099C6 600V CoolMOS™ C6 Power Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 600 - - - - 90 37.9 35 TO-220F
TK40S10K3Z Силовой N-канальный MOSFET-транзистор для автомобильных приложений Toshiba MOSFET
N 1 100 - - - - 18 40 93 DPAK-3
NTB18N06 Power MOSFET 15 A, 60 V, N?Channel D2PAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - - 76 15 48.4 D2-PAK
STD11NM60N N-channel 600 V - 0.37 ? - 10 A - IPAK - DPAK second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 370 10 90 D-PAK
I-PAK
HUF75545S3 N-Channel, UltraFET Power MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 80 - - - - 8.2 75 270 TO-262AA
IRFR420A HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 500 - - - - 3000 3.3 83 D-PAK
STD20NF20 N-channel 200V - 0.10? -18A- DPAK Low gate charge STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 250 - - - - 100 18 90 D-PAK
FDA032N08 N-Channel PowerTrench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 75 - - - - 2.5 120 375 TO-3PN
IRFBC40PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 1200 6.2 125 TO-220AB
FCA16N60 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 220 16 167 TO-3P
IRFR3504Z HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 9 42 90 D-PAK
STP7NK80ZFP N-channel 800V - 1.5? - 5.2A - TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 1500 5.2 30 TO-220FP
FQP2N80 800V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 4900 2.4 85 TO-220
IRF530NS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - - 90 17 3.8 D2-PAK
STW30NM60N N-channel 600 V, 0.1 ?, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 100 25 190 TO-247
STB200NF03 N-channel 30V - 0.0032? - 120A - D2PAK/I2PAK STripFET™ III Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 3.2 120 300 D2-PAK
I2PAK
SUP33N20-60P N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 49 33 156 TO-220
TSM1NB60CH Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 10000 0.5 39 TO-251
STP11NM60N N-channel 600 V - 0.37 ? - 10 A - TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 370 10 90 TO-220
FQPF19N20 200V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 120 11.8 50 TO-220F




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019