Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
DMP3098LSD DUAL P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Diodes Incorporated MOSFET
P 2 -30 - - - 98 56 -4.4 1.8 SOP-8L
IRFBC40PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 1200 6.2 125 TO-220AB
IRFR3504Z HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 40 - - - - 9 42 90 D-PAK
STP7NK80ZFP N-channel 800V - 1.5? - 5.2A - TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 800 - - - - 1500 5.2 30 TO-220FP
STP45NF3LLFP N-channel 30V - 0.014? - 45A TO-220FP STripFET II™ power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - 16 14 27 25 TO-220FP
FCA16N60 600V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 220 16 167 TO-3P
Si3483CDV P-Channel 30-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
P 1 30 - - - 44 27 8 4.2 TSOP-6
IRF530NS HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 100 - - - - 90 17 3.8 D2-PAK
STW30NM60N N-channel 600 V, 0.1 ?, 25 A, MDmesh™ II Power MOSFET TO-247 STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 100 25 190 TO-247
FDMC86570LET60 N-канальный MOSFET транзистор, выполненный по технологии PowerTrench®, 60 В, 87 А Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 60 - - - 6.5 4.3 87 65 Power 33
STB200NF03 N-channel 30V - 0.0032? - 120A - D2PAK/I2PAK STripFET™ III Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 30 - - - - 3.2 120 300 D2-PAK
I2PAK
FQP2N80 800V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 800 - - - - 4900 2.4 85 TO-220
SUP33N20-60P N-Channel 200-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 200 - - - - 49 33 156 TO-220
TSM1NB60CH Силовой N-канальный MOSFET транзистор, 600 В, 0.5 А Taiwan Semiconductor MOSFET
N 1 600 - - - - 10000 0.5 39 TO-251
FQPF19N20 200V N-Channel MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 200 - - - - 120 11.8 50 TO-220F
STP11NM60N N-channel 600 V - 0.37 ? - 10 A - TO-220 second generation MDmesh™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 370 10 90 TO-220
IPB80N06S4L-05 N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor Infineon Technologies MOSFET
N 1 60 - - - 5.4 3.9 80 107 TO-263-3
IRF9510 HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
P 1 100 - - - - 1200 4 43 TO-220AB
IRLU7807Z HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 18.2 13.8 43 40 I-PAK
NTD4805N Power MOSFET 30 V, 88 A, Single N-Channel, DPAK/IPAK ON Semiconductor MOSFET
N 1 30 - - - 6 4.3 16 2.24 D-PAK
3 IPAK
I-PAK




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019