Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 426 427 428 429 430 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFK94N50P2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 55 55 55 55 55 94 1300 TO-264
IXFX80N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 70 70 70 70 70 80 1300 PLUS247
IXFK80N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 70 70 70 70 70 80 1300 TO-264
IXFK180N25T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 250 12.9 12.9 12.9 12.9 12.9 180 1390 TO-264
IXFX180N25T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 250 12.9 12.9 12.9 12.9 12.9 180 1390 PLUS247
IXFX160N30T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 300 19 19 19 19 19 160 1390 PLUS247
IXFK160N30T N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор IXYS MOSFET
 N 1 300 19 19 19 19 19 160 1390 TO-264
IXFX74N50P2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 77 77 77 77 77 74 1400 PLUS247
IXFK74N50P2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 77 77 77 77 77 74 1400 TO-264
IXFN132N50P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q3-Class IXYS MOSFET
 N 1 500 39 39 39 39 39 112 1500 SOT-227 B
IXFN110N60P3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 56 56 56 56 56 90 1500 SOT-227 B
IXFB300N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 5.5 5.5 5.5 5.5 5.5 300 1500 PLUS264
IXFB210N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 10.5 10.5 10.5 10.5 10.5 210 1500 PLUS264
IXFB44N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 220 220 220 220 220 44 1560 PLUS264
IXFB100N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 49 49 49 49 49 100 1560 PLUS264
IXFB82N60Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 75 75 75 75 75 82 1560 ISOPLUS264
IXFB62N80Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 140 140 140 140 140 62 1560 PLUS264
IXFX420N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 420 1670 TO-247
IXFK420N10T N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 2.6 2.6 2.6 2.6 2.6 420 1670 TO-264
IXFK320N17T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 170 5.2 5.2 5.2 5.2 5.2 320 1670 TO-264
Страницы: предыдущая 1 ... 426 427 428 429 430 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники