Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXTQ88N28T N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор

 

Блок-схема

IXTQ88N28T, N-канальный силовой Trench Gate MOSFET транзистор

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 280
RDS(ON) 1.8 В,мОм 44
RDS(ON) 2,7 В,мОм 44
RDS(ON) 2,5 В,мОм 44
RDS(ON) 4.5 В,мОм 44
RDS(ON) 10 В,мОм 44
ID,А 88
PD,Вт 625
Корпус TO-3P

Общее описание
Datasheet
 
IXTQ88N28T (109.1 Кб), 19.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXTQ88N28T Trench Gate Power MOSFET (109.1 Кб), 19.02.2009



Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 661 Дата публикации: 19.02.2009 13:38
Дата редактирования: 20.01.2012 13:40

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники