Компоненты группы MOSFET транзисторы
| Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||
| NTB65N02R | Power MOSFET 65 A, 24 V N-Channel D2PAK |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | - | - | 65 | 62.5 |
D2-PAK |
| IXFM12N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 1050 | 12 | 300 |
|
| IRF6714M | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 25 | - | - | - | 3.4 | 2.1 | 166 | 89 |
|
| FDB8896 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 5.9 | 4.9 | 93 | 80 |
|
| STF20NM50FD | N-channel 500 V, 0.22 ?, 20 A TO-220FP FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode) |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 220 | 20 | 45 |
|
| STP14NF10 | N-channel 100 V - 0.115 ? - 15 A - TO-220 low gate charge STripFET™ II Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 115 | 15 | 60 |
TO-220 |
| IXFR14N100Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 9.5 | 200 |
|
| NTD6414AN | N-канальный силовой MOSFET-транзситор, 100 В, 32 А, 37 мОм |
|
ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 37 | 32 | 100 |
|
| TSM6968SDCA | Сдвоенный N-канальный MOSFET транзистор, 20 В, 6.5 А, ESD защита |
|
Taiwan Semiconductor |
MOSFET |
N | 2 | 20 | - | 29 | - | 22 | - | 6.5 | 1.04 |
TSSOP-8 |
| IRLR7843CPBF | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 30 | - | - | - | 4 | 3.3 | 161 | 140 |
D-PAK |
| FQH90N15 | N-Channel Power MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 14 | 90 | 375 |
|
| STY60NM50 | N-CHANNEL 500V - 0.045W - 60A Max247 Zener-Protected MDmesh™Power MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 45 | 60 | 560 |
|
| IRFP460 | HEXFET® Power MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | - | 270 | 20 | 280 |
TO-247AC |
| SUM45N25-58 | N-Channel 250-V (D-S) 175°C MOSFET |
|
Vishay |
MOSFET |
N | 1 | 250 | - | - | - | - | 47 | 45 | 375 |
D2-PAK |
| STP130NS04ZB | N-channel clamped - 7 m? - 80A TO-220 Fully protected mesh overlay™ MOSFET |
|
STMicroelectronics |
MOSFET |
N | 1 | 0 | - | - | - | - | 7 | 80 | 300 |
TO-220 |
| IXFX180N07 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) |
|
IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 70 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 180 | 560 |
|
| IPB80N06S4-07 | N-Channel 60V MOSFET OptiMOS®-T2 Power-Transistor |
|
Infineon Technologies |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | - | 5.9 | 80 | 79 |
TO-263-3 |
| PSMN013-30YLC | N-канальный MOSFET-транзистор, изготовленный по технологии NextPower |
|
NXP |
MOSFET |
N | 1 | 30 | 13.6 | 13.6 | 13.6 | 13.6 | 13.6 | 32 | 26 |
|
| IRFU120N | HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel |
|
International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
N | 1 | 100 | - | - | - | - | 21 | 9.4 | 39 |
|
| FDD2572 | N-Channel PowerTrench MOSFET |
|
Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 150 | - | - | - | - | 45 | 29 | 135 |
|
