Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXFB72N55Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 550 | 72 | 72 | 72 | 72 | 72 | 72 | 890 |
|
|
IXTK170P10P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -100 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 | -170 | 890 |
|
|
IXTX32P60P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -600 | 350 | 350 | 350 | 350 | 350 | -32 | 890 |
|
|
IXTK32P60P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -600 | 350 | 350 | 350 | 350 | 350 | -32 | 890 |
|
|
IXFH120N25T | N-канальный силовой Trench MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 23 | 23 | 23 | 23 | 23 | 120 | 890 |
|
|
IXFN80N50Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 80 | 890 |
|
|
IXFB80N50Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 60 | 60 | 60 | 60 | 60 | 80 | 890 |
|
|
IXFB50N80Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 160 | 160 | 160 | 160 | 160 | 50 | 890 |
|
|
IXFN52N90P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 160 | 160 | 160 | 160 | 160 | 43 | 890 |
|
|
IXTN90P20P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 44 | 44 | 44 | 44 | 44 | -90 | 890 |
SOT-227 |
|
IXTK90P20P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 44 | 44 | 44 | 44 | 44 | -90 | 890 |
|
|
IXFN40N110P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1100 | 260 | 260 | 260 | 260 | 260 | 34 | 890 |
|
|
IXTX90P20P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -200 | 44 | 44 | 44 | 44 | 44 | -90 | 890 |
|
|
IXFN70N60Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 88 | 88 | 88 | 88 | 88 | 70 | 890 |
|
|
IXFB70N60Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 88 | 88 | 88 | 88 | 80 | 70 | 890 |
|
|
IXTN40P50P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 230 | 230 | 230 | 230 | 230 | -40 | 890 |
SOT-227 |
|
IXTX40P50P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 230 | 230 | 230 | 230 | 230 | -40 | 890 |
|
|
IXTH12N140 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1400 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 | 12 | 890 |
|
|
IXTK40P50P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 230 | 230 | 230 | 230 | 230 | -40 | 890 |
|
|
IXFN180N25T | N-канальный силовой GigaMOS MOSFET транзистор | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 250 | 12.9 | 12.9 | 12.9 | 12.9 | 12.9 | 155 | 900 |
SOT-227 |