Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 418 419 420 421 422 423 424 425 426 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
NTLTS3107P Power MOSFET -20 V, -8.3 A, Single P-Channel, Micro8 Leadless Package ON Semiconductor MOSFET
 P 1 -20 26.2 - - 12.2 - -8.3 1.6 Micro 8
FDD4685 -40V P-Channel PowerTrench® MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
 P 1 -40 - - - 35 27 -8.4 69 D-PAK
ZXMP3F37N8 30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET Zetex MOSFET
 P 1 -30 - - - 41 25 -8.5 1.56 SOIC-8
NTMS4177P Power MOSFET -30 V, -11.4 A, P-Channel, SOIC-8 ON Semiconductor MOSFET
 P 1 -30 - - - 15 10 -8.9 1.52 SOIC-8
FDMC86261P P-канальный MOSFET-транзистор с напряжением сток-исток -150 В, выполненный по технологии PowerTrench® Fairchild Semiconductor MOSFET
 P 1 -150 - - - - 160 -9 40 MLP 3.3x3.3
SiB457EDK P-Channel 20-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
 P 1 -20 60 - 40 29 - -9 13 PowerPAK SC-75-6L
TSM4435CS P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -9.1 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 P 1 -30 - - - 35 21 -9.1 2.5 SOP-8
TSM4435BCS P-канальный MOSFET транзистор, -30 В, -9.1 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 P 1 -30 - - - 35 21 -9.1 2.5 SOP-8
FDMA910PZ P-канальные MOSFET-транзисторы PowerTrench® -20В, -9.4А Fairchild Semiconductor MOSFET
 P 1 -20 34 24 - 20 - -9.4 2.4 MicroFET
SSM6J409TU Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOS V) Toshiba MOSFET
 P 1 -20 46.5 - 30.2 22.1 - -9.5 1 UF-6
ZXMP3F36N8 30V SO8 P-channel enhancement mode MOSFET Zetex MOSFET
 P 1 -30 - - - 28 20 -9.6 1.56 SOIC-8
ZXMP4A16K 40V P-channel enhancement mode MOSFET Zetex MOSFET
 P 1 -40 - - - 100 60 -9.9 4.2 D-PAK
IXTQ10P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-3P
IXTY10P15T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -150 350 350 350 350 350 -10 83 TO-252
IXTP10P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-220
IXTP10P15T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -150 350 350 350 350 350 -10 83 TO-220AB
IXTH10P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-247
IXTA10P15T Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -150 350 350 350 350 350 -10 83 TO-263
IXTA10P50P PolarP Power MOSFET IXYS MOSFET
 P 1 -500 - - - - 1000 -10 300 TO-263
TSM10P06CP P-канальный MOSFET транзистор, -60 В, -10 А Taiwan Semiconductor MOSFET
 P 1 -60 - - - 220 170 -10 37 TO-252
Страницы: предыдущая 1 ... 418 419 420 421 422 423 424 425 426 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники