Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
DMN2005K N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR Diodes Incorporated MOSFET
N 1 20 3500 - 1700 - - 0.6 0.35 SOT-23-3
IXTP5N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 1700 1700 1700 1700 1700 5 100 TO-220
IXTA5N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 600 1700 1700 1700 1700 1700 5 100 TO-263
IXTP05N100M Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1000 17000 17000 1700 1700 17000 0.7 25 TO-220-3 ISO
IXTM6N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-204AA
IXTH6N90 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-247
IXFM6N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-204AA
IXFH6N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 900 1800 1800 1800 1800 1800 6 180 TO-247AD
IXFP7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-220
IXFA7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-263
IXFH7N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 7 300 TO-247
IXFT6N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 6 180 TO-268
IXFH6N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 1900 1900 1900 1900 1900 6 180 TO-247AD
IXTT12N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 1400 2000 2000 2000 2000 2000 12 890 TO-268
IXTY3N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 2000 2000 2000 2000 2000 3.6 70 TO-252
IXTP3N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 2000 2000 2000 2000 2000 3.6 70 TO-220
IXFP3N50PM N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 500 2000 2000 2000 2000 2000 2.7 36 TO-220-3 ISO
IXTA3N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
N 1 500 2000 2000 2000 2000 2000 3.6 70 TO-263
IXFM6N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 6 180 TO-204AA
IXFH6N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1000 2000 2000 2000 2000 2000 6 180 TO-247AD




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019