Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
2N7002E | Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N?Channel, SOT?23 | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1100 | 860 | 0.26 | 0.3 |
SOT-23-3 |
|
PMZ760SN | N-channel TrenchMOS standard level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1100 | 760 | 1.22 | 2.5 |
SOT-883 |
|
PMR780SN | N-channel uTrenchmos (tm) standard level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1100 | 780 | 0.55 | 0.53 |
SC75A |
|
PMF780SN | N-channel uTrenchmos (tm) standard level FET | NXP |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1100 | 780 | 0.57 | 0.56 |
SOT-323 |
|
PMZ760SN | N-channel TrenchMOS standard level FET | NXP |
MOSFET Транзисторы |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1100 | 760 | 1.22 | 2.5 |
SOT-883 |
|
IXFQ10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXTP7N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 7 | 150 |
TO-220 |
|
IXFP10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
TO-220 |
|
IXTA7N60P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 7 | 150 |
|
|
IXFH10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXFA10N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXTP7N60PM | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 600 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 4 | 41 |
|
|
IXFH10N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXFM10N90 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 900 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 10 | 300 |
|
|
IXTP6N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 6 | 100 |
TO-220 |
|
IXTA6N50P | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 500 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 1100 | 6 | 100 |
|
|
FQPF5N50C | 500V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | 1140 | - | 5 | 38 |
TO-220F |
|
FQP5N50C | 500V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 500 | - | - | - | 1140 | - | 5 | 73 |
TO-220 |
|
IXFT10N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 10 | 300 |
|
|
IXFR15N100Q3 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 1200 | 10 | 400 |
|