Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 413 414 415 416 417 418 419 420 421 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFK170N10P PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISSI MOSFET
 N 1 100 - - - - 9 170 714 TO-264
IXTT170N10P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 100 9 9 9 9 9 170 714 TO-268
IXFH170N10P PolarHT HiPerFET Power MOSFET ISSI MOSFET
 N 1 100 - - - - 9 170 714 TO-247
IXTQ170N10P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 100 9 9 9 9 9 170 714 TO-3P
IXFK120N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 22 22 22 22 22 120 714 TO-264
IXFH120N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 22 22 22 22 22 120 714 TO-247
IXTN120N25 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 250 20 20 20 20 20 120 730 TO-264AA
IXTK160N20 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 200 13 13 13 13 13 160 730 TO-264AA
IXTK250N10 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 100 5 5 5 5 5 250 730 TO-264
IXTK110N30 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 300 26 26 26 26 26 110 730 TO-264AA
IXFX52N60Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 600 115 115 115 115 115 52 735 PLUS247
IXFK52N60Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 600 115 115 115 115 115 52 735 TO-264
IXTN60N50L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 500 100 100 100 100 100 53 735 SOT-227
IXFX30N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 400 400 400 400 400 30 735 PLUS247
IXFK30N100Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 400 400 400 400 400 30 735 TO-264
IXFX60N55Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 550 88 88 88 88 88 60 735 TO-264AA
IXTN90N25L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 250 33 33 33 33 33 90 735 SOT-227
IXFK60N55Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 550 88 88 88 88 88 60 735 PLUS247
IXTN110N20L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 200 24 24 24 24 24 100 735 SOT-227
IXFN66N50Q2 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class IXYS MOSFET
 N 1 500 80 80 80 80 80 66 735 SOT-227 B
Страницы: предыдущая 1 ... 413 414 415 416 417 418 419 420 421 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники