Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 413 414 415 416 417 418 419 420 421 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFT69N30P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 300 49 49 49 49 49 69 500 TO-268
IXTT28N50Q Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 200 200 200 200 200 28 400 TO-268
IXFT14N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 720 720 720 720 720 14 400 TO-268
IXFT24N50 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 500 230 230 230 230 230 24 300 TO-268
IXTT52N30P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 300 66 66 66 66 66 52 400 TO-268
IXTT24P20 Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -200 150 150 150 150 150 -24 300 TO-268
IXFT140N10P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 11 11 11 11 11 140 600 TO-268
IXFT70N15 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 150 28 28 28 28 28 70 300 TO-268
IXFT4N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q-Class IXYS MOSFET
 N 1 1000 3000 3000 3000 3000 3000 4 150 TO-268
IXTT120N15P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 150 16 16 16 16 16 120 600 TO-268
IXFT68N20 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 200 35 35 35 35 35 68 360 TO-268
IXTT75N10L2 N-канальный MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 100 21 21 21 21 21 75 400 TO-268
IXTT20N50D Высоковольтный N-канальный MOSFET транзистор с режимом истощения IXYS MOSFET
 N 1 500 330 330 330 330 330 20 400 TO-268
IXFT320N10T2 N-канальный силовой TrenchT2 MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiperFET) IXYS MOSFET
 N 1 100 3.5 3.5 3.5 3.5 3.5 320 1000 TO-268
IXTT30N60L2 N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) IXYS MOSFET
 N 1 600 240 240 240 240 240 30 540 TO-268
IXTT26N60P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 600 270 270 270 270 270 26 460 TO-268
IXTT75N10 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 100 20 20 20 20 20 75 300 TO-268
IXTT74N20P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 200 34 34 34 34 34 74 480 TO-268
IXFT20N60Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 600 350 350 350 350 350 20 300 TO-268
IXFT16N80P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 800 600 600 600 600 600 16 460 TO-268
Страницы: предыдущая 1 ... 413 414 415 416 417 418 419 420 421 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники