Компоненты группы MOSFET транзисторы

 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт
VDS
В
RDS(ON) 1.8 В
мОм
RDS(ON) 2,5 В
мОм
RDS(ON) 2,7 В
мОм
RDS(ON) 4.5 В
мОм
RDS(ON) 10 В
мОм
ID
А
PD
Вт
Корпус
                               
IRLU7843CPBF HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 30 - - - 4 3.3 161 140 I-PAK
IXFN30N110P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 1100 360 360 360 360 360 25 1000 SOT-227 B
STH170N8F7 N-канальный силовой транзистор MOSFET семейства STripFET™ VII DeepGATE™, 80 В, 120 А STMicroelectronics MOSFET
N 1 80 - - - - 4.1 120 200 TO-220
STP45NF06 N-channel 60V - 0.022? - 38A TO-220 STripFETTM II Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 60 - - - - 235 38 80 TO-220
HUF75343G3 N-Channel UltraFET Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 55 - - - - 7 75 270 TO-247
STF3NK100Z N-channel 1000V - 5.4? - 2.5A - TO-220FP Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 1000 - - - - 5400 2.5 25 TO-220FP
IXFK64N50Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q3-Class IXYS MOSFET
N 1 500 85 85 85 85 85 64 1000 TO-264
IRFPS29N60L HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 600 - - - - 175 29 480 TO-274AA
IRLD014PBF HEXFET® Power MOSFET Vishay MOSFET
N 1 60 - - - - 200 1.7 1.3 HEXDIP
FDMS3662 N-Channel Power Trench MOSFET Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 100 - - - - 11.4 49 104 Power 56
STB25NM60ND N-channel 600 V - 0.13 ? - 21 A FDmesh™ II Power MOSFET D2PAK STMicroelectronics MOSFET
N 1 600 - - - - 130 21 160 D2-PAK
ZXMN4A06K 40V N-channel enhancement mode MOSFET Zetex MOSFET
N 1 40 - - - 75 50 10.9 4.2 D-PAK
IRF1010EZL HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel International Rectifier (IRF) MOSFET
N 1 60 - - - - 8.5 84 140 TO-262
Si4480DY N-Channel 80-V (D-S) MOSFET Vishay MOSFET
N 1 80 - - - - 26 6 2.5 SOIC-8
IXFH74N20P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
N 1 200 34 34 34 34 34 74 480 TO-247
SiHP24N65E Силовой MOSFET транзистор серии E, 700В, 24А Vishay MOSFET
N 1 700 - - - - 145 24 250 TO-220AB
STU90N4F3 N-channel 40 V, 5.4 m?, 80 A, IPAK STripFET™ Power MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 40 - - - - 5.4 80 110 I-PAK
HUF75309D3S N-Channel UltraFET Power MOSFETs Fairchild Semiconductor MOSFET
N 1 55 - - - - 60 19 55 TO-252 AA
STD6NK50Z N-CHANNEL 500V - 0.93? - 5.6A DPAK Zener-Protected SuperMESH™ MOSFET STMicroelectronics MOSFET
N 1 500 - - - - 930 5.6 90 D-PAK
PSMN1R5-25YL N-channel TrenchMOS logic level FET NXP MOSFET
N 1 25 - - - - 1.13 100 109 SOT-669




подписка на новости

Подпишись на новости!

Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019