Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

IXFH10N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

 

Блок-схема

IXFH10N100P, N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET)

Группа компонентов

MOSFET

Основные параметры

Полярность N
Каналов,шт 1
VDS,В 1000
RDS(ON) 1.8 В,мОм 1400
RDS(ON) 2,7 В,мОм 1400
RDS(ON) 2,5 В,мОм 1400
RDS(ON) 4.5 В,мОм 1400
RDS(ON) 10 В,мОм 1400
ID,А 10
PD,Вт 380
Корпус TO-247

Общее описание
Datasheet
 
IXFH10N100P, IXFV10N100P, IXFV10N100PS (178.1 Кб), 14.02.2009

Производитель
 

Где купить
 

Поставки и консультации:

    Тел: (812) 325 3685
    Тел: (812) 786 8579 (факс)


Дистрибуторы

Дилеры

Где купить ещё

Datasheet

IXFH10N100P, IXFV10N100P, IXFV10N100PS Polar Power MOSFET HiPerFET (178.1 Кб), 14.02.2009



Автор документа: Serega , Кол-во просмотров: 1100 Дата публикации: 14.02.2009 14:50
Дата редактирования: 17.01.2012 07:39

подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники