Компоненты группы MOSFET транзисторы
Название | Описание | Производитель | Группа компонент | Полярность | Каналов шт |
VDS В |
RDS(ON) 1.8 В мОм |
RDS(ON) 2,5 В мОм |
RDS(ON) 2,7 В мОм |
RDS(ON) 4.5 В мОм |
RDS(ON) 10 В мОм |
ID А |
PD Вт |
Корпус | |
IXTX17N120L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 17 | 700 |
|
|
IXTK17N120L | N-канальный силовой MOSFET-транзистор с режимом обогащения, область безопасной работы прямого смещения (FBSOA) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 17 | 700 |
|
|
IXFH13N100 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 900 | 900 | 900 | 900 | 900 | 12.5 | 300 |
|
|
IXTH13N110 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1100 | 920 | 920 | 920 | 920 | 920 | 13 | 360 |
|
|
IXFC12N80P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 930 | 930 | 930 | 930 | 930 | 7 | 120 |
|
|
IXFM11N80 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 950 | 950 | 950 | 950 | 950 | 11 | 300 |
|
|
IXFH11N80 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 800 | 950 | 950 | 950 | 950 | 950 | 11 | 300 |
|
|
IXFH16N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 950 | 950 | 950 | 950 | 950 | 16 | 660 |
|
|
IXFT16N120P | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1200 | 950 | 950 | 950 | 950 | 950 | 16 | 660 |
|
|
IXFH14N100Q2 | N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) Q2-Class | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1000 | 950 | 950 | 950 | 950 | 950 | 14 | 500 |
|
|
IRLML5103 | HEXFET Power MOSFETs Discrete P-Channel | International Rectifier (IRF) |
MOSFET |
P | 1 | 30 | - | - | - | 1000 | 600 | 0.76 | 0.54 |
SOT-23-3 |
|
IXTQ10P50P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | -10 | 300 |
|
|
IXTP10P50P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | -10 | 300 |
TO-220 |
|
IXTH10P50P | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -500 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | -10 | 300 |
|
|
IXTX20N140 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1400 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 20 | 1250 |
|
|
FQPF8N60C | 600V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | 1000 | - | 7.5 | 48 |
TO-220F |
|
IXTK20N140 | Стандартный N-канальный силовой MOSFET | IXYS |
MOSFET |
N | 1 | 1400 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 20 | 1250 |
|
|
IXTH10P60 | Силовой P-канальный MOSFET-транзистор | IXYS |
MOSFET |
P | 1 | -600 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | 1000 | -10 | 300 |
|
|
FQP8N60C | 600V N-Channel MOSFET | Fairchild Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 600 | - | - | - | 1000 | - | 7.5 | 147 |
TO-220 |
|
MMBF2201NT1 | Power MOSFET 300 mAmps, 20 Volts N-Channel SC-70/SOT-323 | ON Semiconductor |
MOSFET |
N | 1 | 60 | - | - | - | 1000 | 750 | 0.3 | 0.15 |
|