Поиск

 l l
 
Расширенный поиск
 

Компоненты группы MOSFET транзисторы
 
Название:
Описание
Производитель:
Группа компонентов
Полярность
Каналов (шт)
VDS (В)
RDS(ON) 1.8 В (мОм)
RDS(ON) 2,5 В (мОм)
RDS(ON) 2,7 В (мОм)
RDS(ON) 4.5 В (мОм)
RDS(ON) 10 В (мОм)
ID (А)
PD (Вт)
Корпус
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая

Название Описание PDF Производитель Группа компонент Полярность Каналов
шт		 VDS
В		 RDS(ON) 1.8 В
мОм		 RDS(ON) 2,5 В
мОм		 RDS(ON) 2,7 В
мОм		 RDS(ON) 4.5 В
мОм		 RDS(ON) 10 В
мОм		 ID
А		 PD
Вт		 Корпус
                               
IXFM10N90 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 900 1100 1100 1100 1100 1100 10 300 TO-204AA
IXTP6N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 1100 1100 1100 1100 1100 6 100 TO-220
IXTA6N50P Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 500 1100 1100 1100 1100 1100 6 100 TO-263
IXFT12N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-268
IXFH12N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 463 TO-247
IXFH12N100Q N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-247AD
IXFT12N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-268
IXFT15N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 15 690 TO-268
IXFH15N100Q3 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 15 690 TO-247
IXTM12N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-204AA
IXTH12N100 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-247AD
IXFM12N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-204AA
IXFV12N100PS N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 463 PLUS220SMD
IXFH12N100 N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 300 TO-247AD
IXFV12N100P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1000 1050 1050 1050 1050 1050 12 463 PLUS220
IXFR16N120P N-канальный силовой MOSFET транзистор со встроенным быстрым диодом (HiPerFET) IXYS MOSFET
 N 1 1200 1040 1040 1040 1040 1040 9 230 ISOPLUS247
IXTQ10P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-3P
IXTP10P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-220
IXTH10P50P Силовой P-канальный MOSFET-транзистор IXYS MOSFET
 P 1 -500 1000 1000 1000 1000 1000 -10 300 TO-247
IXTX20N140 Стандартный N-канальный силовой MOSFET IXYS MOSFET
 N 1 1400 1000 1000 1000 1000 1000 20 1250 PLUS247
Страницы: предыдущая 1 ... 9 10 11 12 13 14 15 16 17 ... 431 следующая



подписка на новости

Подпишись на новости!
Продажа силового и бронированного кабеля и провода в Москве



Мероприятия:

17-я международная выставка ChipEXPO - 2019



SKYPE: tutor1970 | тел. редакции: (995) 900 6254 | email: admin@eust.ru

© 1998-2023 Рынок Микроэлектроники